[发明专利]半导体NROM存储装置有效

专利信息
申请号: 200910056018.2 申请日: 2009-08-06
公开(公告)号: CN101989461A 公开(公告)日: 2011-03-23
发明(设计)人: 权彛振;柯罗特;董智刚;邱雷 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G11C17/08 分类号: G11C17/08
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李丽
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 半导体 nrom 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体NROM存储装置,其特征在于,包括:

存储单元阵列,用于存储数据和指令,包括多个存储单元和设置在预定数目个存储单元之间的连接单元;

寄存器,用于缓存接收的数据信息;

操作单元,用于对所述存储单元阵列中的存储单元进行操作;

控制单元,用于控制所述操作单元,按照预定的访问顺序并根据存储单元与所述连接单元的距离,对所述存储单元阵列的每个存储单元进行操作。

2.如权利要求1所述的半导体NROM存储装置,其特征在于,所述控制单元包括:

初始选择单元,用于根据与所述连接单元距离的远近,确定至少一个初始单元,以及对所述初始单元的操作顺序;

排序单元,用于根据预定的访问顺序,确定对继初始单元之后的各存储单元的操作顺序。

3.如权利要求2所述的半导体NROM存储装置,其特征在于,所述初始选择单元,选择与所述连接单元距离邻近的存储单元作为初始单元并确定初始单元的操作顺序,所述排序单元按照其余存储单元与所述连接单元距离从小到大的顺序,依次确定接下来待操作的存储单元,并直至遍历所述存储单元阵列中的每一个存储单元。

4.如权利要求3所述的半导体NROM存储装置,其特征在于,所述初始选择单元从与所述连接单元邻近的存储单元中,按照与所述连接单元距离从小到大的顺序,确定初始单元的操作顺序。

5.如权利要求3所述的半导体NROM存储装置,其特征在于,所述初始选择单元从与所述连接单元邻近的存储单元中,随机选取初始单元的操作顺序。

6.如权利要求1所述的半导体NROM存储装置,其特征在于,所述控制单元包括:

初始选择单元,用于根据存储单元与所述连接单元的距离以及存储单元的偏置电压,确定至少一个初始单元,以及对所述初始单元的操作顺序;

排序单元,用于根据预定的访问顺序,确定对继初始单元之后的各存储单元的操作顺序。

7.如权利要求6所述的半导体NROM存储装置,其特征在于,所述初始选择单元选择远离所述选择单元的存储单元作为初始单元,并按照偏置电压从小到大的顺序,确定初始单元的操作顺序;所述排序单元按照其余存储单元偏置电压从小到大的顺序,依次确定接下来待操作的存储单元,并直至遍历所述存储单元阵列中的每一个存储单元。

8.如权利要求1所述的半导体NROM存储装置,其特征在于,所述存储单元阵列、所述寄存器与所述操作单元位于存储芯片中;所述控制单元位于控制芯片中。

9.如权利要求8所述的半导体NROM存储装置,其特征在于,所述半导体NROM存储装置还包括:选片单元,用于对在所述控制芯片控制下进行读取或写入操作的存储芯片进行选择。

10.如权利要求9所述的半导体NROM存储装置,其特征在于,所述选片单元位于所述控制芯片中。

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