[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 200910056625.9 | 申请日： | 2009-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101996948A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 杜学东;韦磊;陈美丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/311;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上形成第一栅氧化层，所述半导体衬底分为高压MOS区和低压MOS区；
在第一栅氧化层上形成光刻胶层，经过曝光显影工艺后，露出低压MOS区的第一栅氧化层；
将半导体衬底放入刻蚀机台内，所述机台内包含缓冲氧化蚀刻剂槽和硫酸槽；
以光刻胶层为掩膜，先将半导体衬底放入内，刻蚀去除低压MOS区的第一栅氧化层；
将半导体衬底从缓冲氧化蚀刻剂槽内取出，放入硫酸槽内，刻蚀去除光刻胶层；
将半导体衬底从刻蚀机台内取出后，在高压MOS区的第一栅氧化层上及低压MOS区的半导体衬底上形成第二栅氧化层；
分别在高压MOS区和低压MOS区形成栅极及源/漏极。
2.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀机台型号为Mattson AWP200。
3.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述缓冲氧化蚀刻剂槽内溶液的浓度比为H2O∶HF∶NH4F＝130∶1∶7。
4.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述硫酸槽内溶液的浓度比为H2SO4∶H2O＝5∶1。
5.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，形成第一栅氧化层的方法为湿氧法，厚度为300埃～400埃。
6.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，形成第二栅氧化层的方法为湿氧法，厚度为50埃～90埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
