[发明专利]化学气相沉积设备的安装方法及化学气相沉积设备有效
申请号: | 200910056731.7 | 申请日: | 2009-08-20 |
公开(公告)号: | CN101994100A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 沈建飞;徐皓;潘雯海;胡小栋 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 沉积 设备 安装 方法 | ||
1.一种化学气相沉积设备的安装方法,其特征在于,包括步骤:
将晶舟安装在基座上,且在所述晶舟一侧设置有投影板;
在所述投影板上设置参照物;
第一光束照射所述晶舟,使所述晶舟投影到所述投影板上形成晶舟投影;
沿所述基座的中心轴旋转所述基座,且上述晶舟和所述基座一起旋转,测量在旋转过程中所述晶舟投影与所述参照物之间的距离,当旋转过程中所述距离发生变化时,则调整所述晶舟在所述基座上的位置。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备的安装方法,其特征在于,所述晶舟安装在基座上方,所述投影板设置在所述晶舟上方;第一光束从所述基座下方,向上方照射所述晶舟;
所述参照物的设置方法为,利用第二光束向上方照射,且所述第二光束直接照射在投影板上,形成光束影像,所述光束影像为所述参照物。
3.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备的安装方法,其特征在于,将晶舟安装在基座上方步骤之前还包括:将基座安装在金属支架上方,在所述基座上方设置投影板;
第一光束从所述基座下方,向上方照射所述基座,使所述基座投影到所述投影板上形成基座投影,第二光束向上方照射,且所述第二光束直接照射在投影板上,形成光束影像;
沿所述金属支架的中心轴旋转所述金属支架,且所述基座和所述金属支架一起旋转,测量在旋转过程中所述基座投影与光束影像之间的距离,当旋转过程中所述距离发生变化时,则调整所述基座在所述金属支架上的位置。
4.根据权利要求3所述的化学气相沉积设备的安装方法,其特征在于,所述第一光束沿所述基座的中心轴方向照射。
5.根据权利要求4所述的化学气相沉积设备的安装方法,其特征在于,所述第二光束沿所述基座的中心轴方向照射。
6.根据权利要求5所述的化学气相沉积设备的安装方法,其特征在于,所述光束影像为圆形。
7.根据权利要求6所述的化学气相沉积设备的安装方法,其特征在于,所述晶舟投影为圆形。
8.根据权利要求7所述的化学气相沉积设备的安装方法,其特征在于,在旋转前所述光束影像和所述晶舟投影相切。
9.一种化学气相沉积设备,包括:晶舟,用于盛放晶片,安装在基座上;基座,用于安装所述晶舟并带动其沿所述基座的中心轴旋转;其特征在于,还包括:
投影板,位于所述晶舟一侧;
第一发光设备,用于照射所述晶舟,晶舟投影到所述投影板上形成晶舟投影;
参考物,设置于所述投影板上。
10.根据权利要求9所述的化学气相沉积设备,其特征在于,
所述投影板位于所述晶舟上方;
第一发光设备位于所述基座下方;
还包括第二发光设备,用于从所述基座下方,向上方照射,且所述第二发光设备直接照射在投影板上,形成光束影像,所述光束影像为所述参照物。
11.根据权利要求10所述的化学气相沉积设备,其特征在于,还包括:金属支架和热缩套管,所述基座安装在金属支架上方,将所述金属支架安装在热缩套管上方;且
第一发光设备位于所述热缩套管下方。
12.根据权利要求11所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述第一发光设备沿所述基座的中心轴方向照射。
13.根据权利要求12所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述第二发光设备沿所述基座的中心轴方向照射。
14.根据权利要求13所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述光束影像为圆形。
15.根据权利要求14所述的化学气相沉积设备,其特征在于,所述晶舟投影为圆形。
16.根据权利要求15所述的化学气相沉积设备,其特征在于,在旋转前所述光束影像和所述晶舟投影相切。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的