[发明专利]化学气相沉积设备的安装方法及化学气相沉积设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种化学气相沉积设备的安装方法及化学气相沉积设备。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，需要形成绝缘介质层和导电层等结构来完成器件的电学性能，其中一些是通过化学气相沉积(CVD)的方式沉积在晶圆的表面。

图1为一种常用的低压化学沉积(LPCVD)设备，如图1所示，常用的低压化学沉积设备包括反应腔室(chamber)10，在反应腔室内包括用于加热的内加热管(Inner Tube)20，用于加热的外加热管(Outer Tube)30，用于盛放晶片的晶舟(Boat)40，用于安装晶舟的基座(Pedestal)50，用于固定基座的金属支架(Cap Support Ring)60，以及用于安装金属支架的热缩套管(Endcap)70。其中晶舟40、基座50、金属支架60、热缩套管70的中心轴在一条直线上，且和反应腔室的中心轴重合，并且晶舟可以沿该中心轴旋转。

对晶片进行沉积工艺的时候，首先将晶片安装在晶舟40内，将晶舟40安装在基座50上，基座安装在金属支架60上，金属支架安装在热缩套管70上，然后将该安装好的结构放置于反应腔室10内，接着向反应腔室10注入反应气体，内加热管20和外加热管30升温对晶片进行加热，并且旋转晶舟40，从而使反应物均匀的沉积在晶片上。

例如在公开号为“1259450C”的中国专利中，提供了一种用于半导体膜及类似物的化学气相沉积装置和方法，其中在与所述基体平行的方向上提供原料气体；以与所述基体垂直的方法来向其提供强制气体；且从强制气体引入部分向反应器提供的强制气体在强制气体引入部分的中部的单位面积的流速小于在其圆周部分的对应流速，或者，在原料气体通道中部的流速小于在所述通道两端部分的流速。

上述的化学气相沉积设备都需要进行定期保养(PM)，例如更换加热管、晶舟40和基座50，然而在安装的时候如果晶舟40中心轴不和反应腔室10的中心轴重合，从而使晶舟不位于反应腔室中心，这样可能导致晶舟上的晶片沉积不均匀，为了避免上述现象，传统的方法是在安装好之后先进行一次沉积，然后对沉积之后的晶片进行测试，看沉积的是否均匀，但这样需要很长时间，例如24小时，并且对于比较小的问题还是测试不到，因此怎样使晶舟40能位于反应腔室中心是较难解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种化学气相沉积设备的安装方法及化学气相沉积设备，从而使得安装时晶舟能位于反应腔室中心。

为了解决上述问题，本发明提供了一种化学气相沉积设备的安装方法，包括步骤：将晶舟安装在基座上，且在所述晶舟一侧设置有投影板；在所述投影板设置参照物；第一光束照射所述晶舟，使所述晶舟投影到所述投影板上形成晶舟投影；沿所述基座的中心轴旋转所述基座，且上述晶舟和所述基座一起旋转，测量在旋转过程中所述晶舟投影与所述参照物之间的距离，当旋转过程中所述距离发生变化时，则调整所述晶舟在所述基座上的位置。

可选的，所述晶舟安装在基座上方，所述投影板设置在所述晶舟上方；第一光束从所述基座下方，向上方照射所述晶舟；所述参照物的设置方法为，利用第二光束向上方照射，且所述第二光束直接照射在投影板上，形成光束影像，所述光束影像为所述参照物。

可选的，将晶舟安装在基座上方步骤之前还包括：将基座安装在金属支架上方，在所述基座上方设置投影板；

第一光束从所述基座下方，向上方照射所述基座，使所述基座投影到所述投影板上形成基座投影，第二光束向上方照射，且所述第二光束直接照射在投影板上，形成光束影像；

沿所述金属支架的中心轴旋转所述金属支架，且所述基座和所述金属支架一起旋转，测量在旋转过程中所述基座投影与光束影像之间的距离，当旋转过程中所述距离发生变化时，则调整所述基座在所述金属支架上的位置。

可选的，所述第一光束沿所述基座的中心轴方向照射。

可选的，所述第二光束沿所述基座的中心轴方向照射。

可选的，所述光束影像为圆形。

可选的，所述晶舟投影为圆形。

可选的，在旋转前所述光束影像和所述晶舟投影相切。

相应的本发明还提供了一种化学气相沉积设备，包括：晶舟，用于盛放晶片，安装在基座上；基座，用于安装所述晶舟并带动其沿所述基座的中心轴旋转；还包括：投影板，位于所述晶舟一侧；第一发光设备，用于照射所述晶舟，晶舟投影到所述投影板上形成晶舟投影；参考物，设置于所述投影板上。