[发明专利]可消除突波与静电的覆晶式发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：包含有：

一第一基板；

一第一导电组件，设置于该第一基板之上；

一第二导电组件，设置于该第一基板之上；

一抗突波保护层，设置于部分该第一基板之上，且连接该第一导电元件或该第二导电组件；及

一发光二极管芯片，设置一第一接合面与一第二接合面，且该第一接合面连接该第一导电组件，以及该第二接合面连接该第二导电组件；

其中，当该发光二极管芯片的偏压电压超过门坎电压，则促使该第一导电组件、该第二导电组件与该抗突波保护层形成电性连接以消除突波与静电。

2.如权利要求1所述的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：所述抗突波保护层还覆盖部分该第一导电组件或部份该第二导电组件。

3.如权利要求1所述的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：还包含一反射层，其设置于该第一基板与该抗突波保护层之间，且该反射层仅连接该第一导电组件或该第二导电组件。

4.如权利要求3所述的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：所述反射层的材料选自于金、金锡合金、金铍合金、金锗合金、氧化铟锡、铝、铂、银、钛、钯、锗、铜、锌、镍、二氧化硅、二氧化钛及上述任意组合的其中之一。

5.如权利要求1所述的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：还包含一绝缘层，其设置于该第一导电组件与该第一基板之间，且连接该第二导电组件。

6.如权利要求5所述的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：所述绝缘层的材料选自于二氧化硅、一氧化硅、四氮化硅、氮化物、非晶体半导体及非结晶体半导体的其中之一。

7.如权利要求5所述的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：还包含一反射层，其设置于该第一基板与该绝缘层之间，且连接该第二导电组件。

8.如权利要求7所述的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：所述反射层的材料为选自于金、金锡合金、金铍合金、金锗合金、氧化铟锡、铝、铂、银、钛、钯、锗、铜、锌、镍、二氧化硅、二氧化钛及上述任意组合的其中之一。

9.如权利要求1所述的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：还包含一绝缘层，其设置于该第二导电组件与该第一基板之间，且连接该第一导电组件。

10.如权利要求9所述的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：所述绝缘层的材料选自于二氧化硅、一氧化硅、四氮化硅、氮化物、非晶体半导体及非结晶体半导体的其中之一。

11.如权利要求9所述的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：还包含一反射层，其设置于该第一基板与该绝缘层之间，且连接该第一导电组件。

12.如权利要求11所述的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：所述反射层的材料选自于金、金锡合金、金铍合金、金锗合金、氧化铟锡、铝、铂、银、钛、钯、锗、铜、锌、镍、二氧化硅、二氧化钛及上述任意组合的其中之一。

13.如权利要求1所述的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：所述第一接合面与该第二接合面为该发光二极管芯片的一第一电极及一第二电极。

14.如权利要求13所述的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：所述第一电极与第二电极分别透过一第一导电体与一第二导电体，以分别连接该第一导电组件与该第二导电组件。

15.如权利要求14所述的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：所述第一导电体与该第二导电体的材料为金、银、铝、锡、锌及上述任意组合的其中之一。

16.如权利要求1所述的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：所述发光二极管芯片还设置一第二基板，其设置于该发光二极管装置的最上层。

17.如权利要求16所述的可消除突波与静电的覆晶式发光二极管，其特征在于：所述第二基板的材料选自于III-V族的化学元素、II-VI族的化学元素、IV族的化学元素、IV-IV族的化学元素、非晶体半导体、非结晶体半导体及上述任意组合的其中之一。