[发明专利]可消除突波与静电的覆晶式发光二极管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管结构及其制备方法，特别是涉及一种可消除突波与静电的覆晶式发光二极管及其制造方法。

背景技术

现今发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的研发技术渐趋纯熟，且因发光二极管工作电压小及体积小，所以发光二极管为现今光电产业中需求大的一种光电组件，其可运用于电灯照明、携带式照明用具的光源与背光模块，其中又以研发背光模块最为热门。为了在封装制程可以尽可能缩小发光二极管封装结构所占用的单位体积，于是乎光电产业发展出一种覆晶式发光二极管封装结构，以达到减少占用的单位面积，且发光效能更好。然而公知覆晶式发光二极管封装结构仅设置一齐纳二极管于载具的结构中，以避免静电的影响，如此于静电保护上仍然不足以对覆晶式发光二极管封装结构提供完善的静电保护效能。

图1是公知具覆晶结构的发光二极管装置的结构示意图。如图所示，公知具覆晶结构的发光二极管装置见于发明人「王见仁、张乃文、王伟任等人」于「翔成光电股份有限公司」所发明的中国台湾发明专利，其中专利证书号为「I237410 」，专利名称为「具有覆晶结构的发光二极管装置」。公知覆晶式发光二极管包含一绝缘基板10、一第一导电组件11、一第二导电组件12与一发光二极管芯片20。绝缘基板10包含有一第一侧端13、一第二侧端14、一上表面15、一下表面16、一P型电极层17及一N型电极层18，P型电极层17设置于绝缘基板10的第一侧13，N型电极层18设置于绝缘基板10的第二侧14，且前述两者电极层分别延伸至绝缘基板10的上表面15与下表面16的一部分，以让P型电极层17与N型电极层18分别外接电源。

第一导电组件11设置于P型电极层17之上，以及第二导电组件12设置于N型电极层18之上，以用于连接发光二极管芯片20。且发光二极管芯片20设置有一P型电极21与一N型电极22，以让发光二极管芯片20经由P型电极21，连接第一导电组件11，以及经由N型电极22，连接第二导电组件12。发光二极管芯片20经由P型电极21与第一导电组件11，以与P型电极层17电气相接，以及经由N型电极22与第二导电组件12，以与N型电极层18电气相接。如此公知覆晶式发光二极管通过由第一导电组件11与第二导电组件12，取代传统的金属打线方式，以让电极外接电源，进一步省略打线步骤而降低成本。

另一公知技术为发明人「赖穆人先生」于「炬鑫科技股份有限公司」所发明的中国台湾专利，其专利证书号为「M273822 」，专利名称为「具防静电的无导线覆晶式封装的表面黏着型发光二极管」。其中保护电路用于保护覆晶式发光二极管，以避免静电所产生的瞬间电压影响发光二极管芯片，但保护电路使覆晶式发光二极管的体积增加，而随着体积的增加亦相对地增加覆晶式发光二极管的制造成本。

因此，需开发一种可消除突波与静电的覆晶式发光二极管及其制造方法，以更有效地消除静电放电的影响，及有效地消除突波而避免突波干扰发光二极管芯片，以及减少保护电路所占用的体积。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种可消除突波与静电的覆晶式发光二极管及其制造方法，通过设置一抗突波保护层于覆晶发光二极管封装结构，以用于消除突波与静电对发光二极管芯片的影响，并减少保护电路的体积与成本。

为解决上述技术问题，本发明的一种可消除突波与静电的覆晶式发光二极管是一具覆晶式发光二极管，包含有：一第一基板；一第一导电组件，设置于该第一基板之上；一第二导电组件，设置于该第一基板之上；一抗突波保护层，设置于部分该第一基板之上，且连接该第一导电元件或该第二导电组件；及一发光二极管芯片，设置一第一接合面与一第二接合面，且该第一接合面连接该第一导电组件，以及该第二接合面连接该第二导电组件。本发明的覆晶式发光二极管还可设置一反射层或一绝缘层于第一基板与抗突波保护层之间。若发光二极管芯片的偏压电压超过门坎电压，则驱使抗突波保护层产生一电流旁路，以导致第一导电组件、抗突波保护层与第二导电组件，形成一消除突波与静电的电回路。