[发明专利]液晶显示装置及该液晶显示装置的制造方法有效
申请号: | 200910057266.9 | 申请日: | 2009-05-15 |
公开(公告)号: | CN101887199A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 马骏;黄长虹;袁方;吴勇;凌志华 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G03F7/36;H01L21/84 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置及该液晶显示装置的制造方法。
背景技术
液晶显示装置因具有体积小、低辐射、低耗电等特性而被广泛应用在移动电话、个人数字助理、笔记本电脑、个人计算机和电视领域。出于控制背光功率和户外显示特性的考虑,很多液晶显示装置的显示屏都采用了反射模式,利用反射区域反射外界光来实现补偿亮度的效果,因此,反射率和反射视角都是技术上需要考虑的部分。通常,液晶显示装置的显示屏的反射模式包括半反半透模式和全反射模式。
为了增加液晶显示装置的显示屏反射区域的反射率和反射视角,通常在该反射区域设置凸起(Bump)。现有技术中,该凸起是采用具有高感光特性、低介电常数的有机膜材料,利用光刻使其形成众多凸起状图型,再通过加温烘烤使有机膜图型受热后塌下形成拱形凸起结构,最后在上面溅射金属形成反射膜,完成反射区域。该方法使得该凸起表面光滑以增加反射率,同时由于该凸起可以使入射光向各个方向散射,可以得到比较好的反射视角。
上述方法采用的有机膜由于具有高的光学透过性、低介电常数以及良好的成膜均匀性等特点,其价格很高,不利于降低该液晶显示装置的显示屏的制作成本。且该有机膜在加热坍塌后尺寸偏大,进而形成的凸起的尺寸较大,如果增加凸起的密度,烘塌后相邻凸起连接在一起形成片,导致整个反射区域内凸起密度的下降,从而降低了该液晶显示装置的显示屏的反射率。
发明内容
为了解决现有技术中的液晶显示装置的反射式显示屏的制造成本高、反射率低的技术问题,有必要提供一种制造成本低且反射率高的液晶显示装置的制造方法。
本发明还提供一种制造成本低且反射率高的液晶显示装置。
一种液晶显示装置反射区凸起的制造方法,包括如下步骤:提供一基板,在该基板沉积无机绝缘层;在该无机绝缘层需要形成凸起的位置覆盖光阻;向覆盖有该无机绝缘层和该光阻的基板提供刻蚀气体,去除该光阻,以使该无机绝缘层覆盖有该光阻的部分形成表面呈曲面的凸起。
一种液晶显示装置,包括一基板,该基板的表面形成有多个阵列排布的像素单元,每一该像素单元包括薄膜晶体管区和反射区,该反射区包括至少一个表面呈曲面的凸起,该凸起由无机绝缘材料形成。
其中,该凸起呈半球形或椭球形。该无机绝缘材料是氮化硅或氧化硅。该凸起的最大宽度处的宽度取值范围为2μm~5μm,该凸起的高度为300nm。该液晶显示装置是全反射式液晶显示装置或者半穿半反式液晶显示装置。该光阻的厚度为1.3μm。
在向覆盖有该无机绝缘层和该光阻的基板提供刻蚀气体的步骤中,还包括调整该刻蚀气体的气压以调整该凸起表面的弯曲度。
在该无机绝缘层需要形成凸起的位置覆盖光阻的步骤中,还包括调整该光阻的厚度以调整该凸起形成的高度。
与现有技术相比,本发明的液晶显示装置的反射区凸起的制造方法,通过在该无机绝缘层表面将要形成凸起的位置覆盖该光阻,使该基板覆盖该无机绝缘层和该光阻的表面凸凹不平,从而使该刻蚀气体在该无机绝缘层没有覆盖该光阻的部分、该光阻边缘区域、该光阻中央区域附近的分布浓度依次减小,该无机绝缘层没有覆盖该光阻的部分、该光阻的边缘区域、该光阻的中央区域的刻蚀速度依次减小。从而使该无机绝缘层被刻蚀形成表面平滑的凸起,进而减少了照射到该凸起上光线的吸收,提高了反射率。本发明的液晶显示装置的反射区凸起的制造方法较使用具有高感光特性、低介电常数的有机膜材料的制造方法成本低。
附图说明
图1是一种具有反射区凸起的液晶显示装置的单个像素区域的截面结构示意图。
图2至图6是本发明较佳实施方式的液晶显示装置的制造方法的各步骤示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合附图对本发明作进一步的详细描述。
请参阅图1,图1是一种具有反射区凸起的液晶显示装置的单个像素区域的截面结构示意图。该液晶显示装置10是一半穿半反液晶显示装置,该液晶显示装置10包括一基板11,该基板11的表面形成有多个阵列排布的像素单元,每一像素单元划分为薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)区12,穿透区13和反射区14。薄膜晶体管设置于该薄膜晶体管区12,该薄膜晶体管包括依次设置于该基板11表面的栅极121,栅极绝缘层122、半导体岛123和源/漏极124。优选的,该栅极绝缘层122由无机绝缘材料形成,该无机绝缘材料为氮化硅(SiNx)或氧化硅。该源/漏极124和该半导体岛123上还可以形成有钝化层,该钝化层也由无机绝缘材料形成。
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