[发明专利]控制互连线之间介质层中空洞高度的方法

权利要求书

1.一种控制互连线之间介质层中空洞高度的方法，其特征在于，在形成互连线之后，包括以下步骤：

1)采用PECVD淀积SiO₂，使得一部分互连线之间形成闭合空洞，另一部分互连线之间形成未闭合的空洞；

2)采用HDPCVD淀积SiO₂，填充步骤1)中未闭合的空洞，使所有空洞顶部高度不超过较小间距互连线之间最高空洞顶部高度。

2.根据权利要求1所述的控制互连线之间介质层中空洞高度的方法，其特征在于，步骤2)中将未闭合的空洞填充满，或者在原未闭合的空洞底部留下部分空洞，或者是上述两种情况的结合。

3.根据权利要求1所述的控制互连线之间介质层中空洞高度的方法，其特征在于，步骤1)为采用PECVD淀积SiO₂，使得一部分互连线之间形成闭合空洞，另一部分互连线之间形成未闭合的空洞，并控制闭合空洞的高度符合预先设定的范围。

4.根据权利要求2所述的控制互连线之间介质层中空洞高度的方法，其特征在于，步骤2)中采用HDPCVD淀积SiO₂，填充在步骤1)中未闭合的空洞，并在原未闭合的空洞底部留下部分空洞时，控制在原未闭合的空洞底部留下部分空洞高度在预先设定的范围。

5.根据权利要求1或2所述的控制互连线之间介质层中空洞高度的方法，其特征在于，所述的互连线为金属或金属合金互连线，如铝、铝硅、铜、钨，或者是金属化合物互连线，如氮化钛，钨化硅，或者是多晶硅、非晶硅互连线。

6.根据权利要求1或2所述的控制互连线之间介质层中空洞高度的方法，其特征在于，步骤1)中采用PECVD淀积SiO2，采用TEOS工艺，或者使用SiH₄工艺。

7.根据权利要求1所述的控制互连线之间介质层中空洞高度的方法，其特征在于，步骤1)完成后，在一部分互连线之间形成闭合空洞，其连线之间间距为90-300纳米，在另一部分互连线之间形成未闭合的空洞，其连线之间间距大于300纳米。

8.根据权利要求3所述的控制互连线之间介质层中空洞高度的方法，其特征在于，闭合空洞顶部距离介质层表面高度为10-1000埃。