[发明专利]位线预处理存储装置及方法有效

专利信息
申请号: 200910057473.4 申请日: 2009-06-25
公开(公告)号: CN101930795A 公开(公告)日: 2010-12-29
发明(设计)人: 杨俊 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413;G11C7/12
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 孙大为
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 预处理 存储 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种位线预处理存储装置;包括至少两条位线,以及与位线相连接的存储单元,其特征在于,还包括:

一个P型MOS晶体管和一个N型MOS晶体管;

所述的P型MOS晶体管的源极和漏极分别与两条位线连接;

所述的N型MOS晶体管的源极和漏极分别与两条位线连接;

所述的P型MOS晶体管和N型MOS晶体管形成一个传输门将两条位线连接起来平衡位线间的电位;

位线在非读写状态下浮空。

2.如权利要求1所述的位线预处理存储装置;其特征在于,相邻两个单元的位线之间至少存在一根地线或电源线,该地线或电源线所用的金属层和走线方向和位线一致。

3.如权利要求1所述的位线预处理存储装置的工作方法;其特征在于,

进行读动作时,包括以下步骤:

每一对位线之间的传输门开启,保持两根位线的电压完全一致;

读动作开始后,所有位线对之间的传输门关闭,选中的开启,每一个位线对中的两根位线各自从相同的初始电压沿相反的方向跟随存储单元内的存储值变化,逐步产生电压差;

位线对上的电压差由对应的存储单元的存储值所决定;

对于被选中的位线对或存储单元,所述电压差输入到灵敏放大器来进行放大,从而得到所需要读取的值。

4.如权利要求1所述的位线预处理存储装置的工作方法;其特征在于,

进行写动作时,包括以下步骤:

每一对位线之间的传输门开启,保持两根位线的电压完全一致;

写动作开始后所有位线对之间的传输门关闭,选中的开启;

被选中的一对位线被外部写电路分别充放电至电源电压和地,从而写入值到存储单元。

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