[发明专利]用于校准光刻工具的装置及方法有效
| 申请号： | 200910057967.2 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102033423A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 陈群琦;林世鸿;朱伟;陈钦裕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/16;H01L21/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 校准 光刻 工具 装置 方法 | ||
1.一种用于校准光刻工具的方法，所述方法包括：
提供载有标记的校准晶圆；
在所述校准晶圆上形成光致抗蚀剂材料以覆盖所述标记；
通过曝光来去除所述光致抗蚀剂材料的一部分；以及
检查所述校准晶圆，以确定所述标记的部分是否已通过去除所述光致抗蚀剂而被暴露。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述校准晶圆包括半导体材料。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述校准晶圆包括单晶硅，而所述标记包括介电材料。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述介电材料包括氧化硅和氮化硅之一。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述校准晶圆选自半导体衬底、光学记录介质、磁性记录介质以及平板显示装置。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述标记勾划出边缘球状物去除(EBR)区域、晶圆边缘排除(WEE)区域和晶圆标识区域中的至少一个的边界。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，从所述晶圆的外围上的边缘球状物去除(EBR)区域中去除光致抗蚀剂。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，通过从喷嘴配给的溶剂从所述边缘球状物去除区域中去除光致抗蚀剂材料。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述边缘球状物去除区域在从晶圆边缘起约1-2毫米的范围。
10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述外围区域是晶圆边缘暴露(WEE)区域。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，通过将所述晶圆的外围区域上的光致抗蚀剂材料暴露和曝光而从所述晶圆边缘暴露区域中去除光致抗蚀剂材料。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述晶圆边缘暴露区域在从晶圆边缘起约3-4毫米的范围。
13.一种配给液体光致抗蚀剂材料的方法，所述方法包括：
提供载有标记的校准晶圆，所述标记靠近所述校准晶圆的中心；
使液体光致抗蚀剂材料流到所述校准晶圆上；
观察从所述标记到所述液体光致抗蚀剂的施加点的距离。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述标记包括在所述校准晶圆的中心处相交的正交线。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述校准晶圆选自半导体衬底、光学记录介质、磁性记录介质以及平板显示装置。
16.一种用于校准光刻工具的装置，包括载有标记的校准晶圆，所述标记勾划出所述校准晶圆的中心、边缘球状物去除(EBR)区域、晶圆边缘排除(WEE)区域和晶圆标识区域中的至少一个。
17.根据权利要求16所述的装置，其中，所述校准晶圆包括单晶硅。
18.根据权利要求16所述的装置，其中，所述标记包括介电材料。
19.根据权利要求16所述的装置，其中，所述校准晶圆选自半导体衬底、光学记录介质、磁性记录介质以及平板显示装置。
20.根据权利要求16所述的装置，其中，所述标记位于距离晶圆边缘约6毫米或小于6毫米处。
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