[发明专利]一种硅通孔互连结构的制备方法有效

专利信息
申请号: 200910060749.4 申请日: 2009-02-13
公开(公告)号: CN101483149A 公开(公告)日: 2009-07-15
发明(设计)人: 刘胜;高鸣源;胡程志;吴一明 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 华中科技大学专利中心 代理人: 曹葆青
地址: 430074湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅通孔 互连 结构 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种硅通孔互连结构的制备方法,其步骤包括:

(1)将键合硅器件晶圆键合于硅晶圆基板上,在硅器件晶圆上形成至少一个内部接触;

(2)减薄硅器件晶圆,再刻蚀硅器件晶圆,形成盲孔,盲孔的深宽比为5∶1-20∶1;刻蚀在到达内部接触时停止;

(3)在上述硅器件晶圆上涂敷一层图案化介电材料;

(4)刻蚀上述图案化介电质层,刻蚀掉盲孔底部的介电材料,保留盲孔侧壁;在硅晶圆基板上形成介电质孔,使介电质孔和盲孔同轴;

(5)在介电质孔和器件表面上沉积一层导电材料,作为导电层,形成导电孔;

(6)在导电层上再沉积一层图案化介电质层,完全填充导电孔;

(7)移除硅晶圆基板,在导电层上形成焊料微凸点。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(3)中的图案化介电质层的材料为聚对二甲苯。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于:步骤(5)中的导电层材料为铜。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于:在步骤(5)沉积导电材料之前,先沉积一层钛/铜籽晶层。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于:步骤(6)中的图案化介电质层的材料为双苯环丁烯。

6.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于:步骤(6)中的硅器件晶圆的内部接触材料为铝。

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