[发明专利]一种弱激发光致变色MoO3空心微球薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200910061583.8 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101544475A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 沈毅;王萍萍;黄荣;颜莎宁;李珍 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学(武汉) |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23;C04B41/50;C09K9/00 |
| 代理公司： | 武汉华旭知识产权事务所 | 代理人： | 刘 荣;周宗贵 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激发 变色 moo sub 空心 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种弱激发光致变色MoO3空心微球薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步 骤：
(1)配制浓度为0.05～3mol/L的钼酸盐水溶液，所述钼酸盐为易溶于水且其阳离 子的强酸盐也易溶于水的钼酸盐；
(2)采用离子交换法将钼酸盐水溶液制成钼酸水溶液；
(3)在搅拌条件下，向钼酸水溶液中加入成核剂，随后加入稳定剂，成核剂、稳 定剂与0.05～3mol/L钼酸盐溶液的体积比为0.1～1.0∶0.1～2.0∶1.0，然后搅拌 均化形成溶胶；其中，成核剂为数均分子量2000～5000，可与水互溶、在300 ℃以下易分解的聚电解质，稳定剂为正丙醇、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺 或乙酰丙酮；
(4)将无机非金属基片进行处理使其洁净；
(5)用所得溶胶在无机非金属基片上镀膜，于40～70℃干燥；
(6)将干燥后的无机非金属基片升温至100～200℃保温0.5～3.0小时，然后以≤ 15℃/min的速度升温至300～700℃，保温时间不小于0.5小时即得到MoO3空 心微球薄膜。
2.根据权利要求1所述的弱激发光致变色MoO3空心微球薄膜的制备方法，其特 征在于：步骤(3)中是在200～600r/min搅拌条件下，逐滴加入成核剂，随后逐 滴加入稳定剂。
3.根据权利要求1所述的弱激发光致变色MoO3空心微球薄膜的制备方法，其特 征在于：步骤(3)中所述均化时间为2～6小时。
4.根据权利要求1所述的弱激发光致变色MoO3空心微球薄膜的制备方法，其特 征在于：步骤(3)中搅拌均化形成溶胶后，将溶胶于暗处静置12～48小时。
5.根据权利要求1所述的弱激发光致变色MoO3空心微球薄膜的制备方法，其特 征在于：步骤(5)中用所得溶胶在无机非金属基片上镀膜是将无机非金属基片浸 入溶胶中，采用浸渍提拉法以15～25mm/s的提拉速度在基片上镀膜，镀膜时 间为80～200s。
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