[发明专利]一种高纯度、低放射性球形硅微粉及其制备方法

权利要求书

1.一种高纯度、低放射性球形硅微粉的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)以放射性元素U含量≤1×10^-9g/g的硅源为原料，制备纯度不低于99.90％且其中任一种杂质离子含量均≤5×10^-6g/g的稳定硅溶胶；

(2)对硅溶胶进行浓缩，使其固含量为41～70％；

(3)将浓缩后的硅溶胶造粒，得到粒径为0.5～60μm的类球形氧化硅微粉；

(4)将造粒得到的氧化硅微粉于500～1100℃充分焙烧；

(5)以氮气或氧气为送粉载气，将焙烧后的氧化硅微粉从火焰燃烧器轴向引入温度不低于1750℃的火焰中加热、加速，然后微粉进入球形化炉进一步加热、熔融，冷却后将得到的非晶态氧化硅进行分级、收集，得到高纯度、低放射性球形硅微粉，该硅微粉中SiO₂含量不低于99.90％，放射性元素U含量≤1×10^-9g/g，球形化率为90～100％，非晶率为99～100％。

2.根据权利要求1所述的高纯度、低放射性球形硅微粉的制备方法，其特征在于：步骤(5)中是以15～300g/min的送粉速率将焙烧后的氧化硅微粉从火焰燃烧器轴向引入温度不低于1750℃的火焰中加热、加速，然后微粉进入预热过的球形化炉进一步加热、熔融。

3.根据权利要求1所述的高纯度、低放射性球形硅微粉的制备方法，其特征在于：步骤(5)中是以氧气作为送粉载气。

4.根据权利要求1所述的高纯度、低放射性球形硅微粉的制备方法，其特征在于：步骤(5)中所述火焰燃烧器的火焰焰流速度10～30m/s。