[发明专利]电子元件成膜新工艺

权利要求书

1、一种电子元件成膜工艺，其特征是采用以下工艺步骤：材料处理—第一道成膜—第二道成膜—成品。

2、如权利要求1的电子元件成膜工艺，其特征是所述材料处理，把多种成膜材料中需要沉淀的化学物质置于防氧化烧结炉中结晶，出炉冷却后研磨成β晶体。

3、如权利要求1的电子元件成膜工艺，其特征是所述第一道成膜，将电子元件基体摆放在容器内，加入纯水淹没，把β晶体材料加水搅匀后喷洒在水面上，待β晶体完全沉淀后放掉并收集容器内的水，将沉积成膜后的电子元件基体烘干。

4、如权利要求1的电子元件成膜工艺，其特征是所述第二道成膜，将成膜材料中需要溶于水的化学物质稀释后，装入雾化机通过管道将冷雾引入置有第一道成膜后的电子元件基体的雾化室进行表面雾化，将雾化后的电子元件基体烘干。