[发明专利]电子元件成膜新工艺

说明书

技术领域

本发明属于电子元件领域，涉及电子元件膜层制作工艺，具体涉及电子元件成膜新工艺。

背景技术

在电子元件的生产过程中，电子元件的表膜层制作一直沿用传统的喷涂法。使用专用的喷枪，将配置好的化学药品溶液反复多次喷射到处理好的电子元件基体上形成表膜层。这种传统的成膜方法存在着以下主要缺陷：

1.污染环境，影响工人身体健康。喷液中含有镉、铅、汞、六价铬，多溴二苯醚、多溴联苯等有害成份，喷涂法难以控制喷液外泄、抛撒、挥发，残留剂无法回收，废水处理困难，不仅造成一定范围内的污染，而且还影响操作工人的身体健康。

2.生产效率低，产品质量可控性差，产品离散性较大。就光敏电阻生产而言，每投入1百万个基体，需耗直接生产工时约100个，增加间接工时约1000个，废品率高达30％左右。

3.材料严重浪费，生产成本加高。以光敏电阻为例，每生产1百万只成品，浪费化学药品约1500元，水电费200元，其它辅助材料约300元，合计约2000元。

发明内容

发明人在多年从事电子元件生产制造的实践活动中，发现传统的喷涂法制作电子元件膜层存在着严重缺陷，经过调查研究，反复探索，目的在于研究一种电子元件成膜新工艺，能够较好地克服传统喷涂法所存在的问题。

本发明所采取的技术方案是设计一种电子元件成膜新工艺，采用以下工艺步骤；材料处理—第一道成膜—第二道成膜—成品。其中材料处理，成膜材料包括多种化学物质，把其中需要沉淀的化学物质混合后置于防氧化的烧结炉中结晶，出炉冷却后研磨成β晶体；其中第一道成膜，将电子元件基体均匀摆放在容器内，加入适量的纯水淹没电子元件基体，把β晶体材料加水搅匀后喷洒在水面上，待β晶体材料完全沉淀，水呈清澈状态后，放掉并收集容器内的水，将沉积成膜后的电子元件基体送入烘干机均匀烘干，即完成第一道成膜；其中第二道成膜，将成膜材料中需要溶于水的化学物质稀释后，装入雾化机，将冷雾通过管道引入雾化室，对置于雾化室内的第一道成膜的电子元件基体进行表面雾化，将雾化后的电子元件基体送入烘干机烘干，即完成第二道成膜；电子元件基体经过第一道沉积成膜和第二道雾化成膜后，即得到成膜后的电子元件成品。

本发明采用上述技术方案及措施，对传统的电子元件成膜喷涂法加以改进，具有以下明显优点及效果：

1.电子元件基体经沉积和雾化后所形成的膜层平整致密，厚度均匀，无气泡，无斑点，不起皮；

2.在容器内实施沉积和雾化，解决了成膜药液外泄、抛撒、挥发的弊端，工作室无异味，提高了工人文明安全生产的程度；

3.沉淀后放出的废水可收集再沉淀，残留药物可回收再利用，解决了环境污染问题；

4.大量废水可返回制水系统净化处理再循环利用，解决了废水排放污染问题，又节约了生产用水；

5.使产品质量的可控性得到保障，生产效率大幅提高，以光敏电阻元件为例，投放1百万件基片，直接工时仅需30个，间接工时仅需10—15个，废次品率降到1％以下；

6.每1百万个产成品可节约原材料、辅料、水电气费用约3000元。

附图说明

图1表示本发明电子元件成膜新工艺流程方框图。

具体实施方式

结合附图及实施例，进一步说明本发明电子元件成膜新工艺的具体步骤，其特征和优点更加清楚。

本发明电子元件成膜新工艺的实施例，参见图1，其工艺步骤为：材料处理—第一道成膜—第二道成膜—成品。其中材料处理步骤1，把多种成膜药品材料中的需要沉淀的化学物质混合物置于有氮气保护的烧结炉中，按材料性质设定温度和时间，使药品材料充分结晶，出炉冷却后研磨成β晶体备用；其中第一道成膜步骤2，将电子元件基体均匀摆放在容器内，缓慢加入纯水淹没，把β晶体材料加水搅匀后喷洒在水面上，待β晶体材料完全沉淀缓慢放出清水并加以收集，将沉积成膜后的电子元件基体送入烘干机均匀烘干，即完成第一道成膜；其中第二道成膜步骤3，将成膜药品材料中需要溶于水的化学物质稀释后，装入超声波雾化机，将冷雾通过管道引入雾化室，对置于雾化室内的第一道成膜的电子元件基体进行表面雾化，可以按时间或一定雾化溶液量控制雾化效果，将雾化后的电子元件基体送入烘干机烘干，即完成第二道成膜；电子元件基体经过第一道沉积成膜和第二道雾化成膜后即得到成膜后的电子元件成品。

本发明电子元件成膜新工艺方法经试验成功，月产3千万个光敏电阻元件，直接减少投入9万元，减少操作工三分之二，产品质量成品率提高到99％以上，初显本发明的合理性、实用性，一旦推广应用，必将产生显著的社会经济效益。