[发明专利]钨酸锆薄膜的制备方法

权利要求书

1.钨酸锆薄膜的制备方法，其特征在于钨酸锆薄膜的制备方法按照以下步骤进行：一、将0.82～1.92g硝酸氧锆加入到5～15mL溶剂中，在50～80℃条件下搅拌5～10min得到A溶液；其中溶剂为乙酸、丙醇、异丙醇、甲醇、乙二醇或乙二醇甲醚；二、将0.95～3.25g络合剂、15～25mL溶剂和1.15～3.92g的偏钨酸铵混合均匀得到B溶液，其中络合剂为柠檬酸、乙二胺四乙酸或草酸，溶剂为乙酸、丙醇、异丙醇、甲醇、乙二醇、醋酸或乙二醇甲醚；三、将A溶液和B溶液混合均匀，在35～60℃条件下陈化1～3天，得到溶胶；四、将步骤三制备得到的溶胶滴加到基片上，每平方厘米的基片上滴加0.02～0.08mL的溶胶，以3000～4000r/min旋涂5～15s即可得到湿膜，再将湿膜置于300～500℃的平板炉上预烧1～3min；五、重复操作步骤四10～20次即可得到钨酸锆非晶薄膜；六、将钨酸锆非晶薄膜置于600℃～800℃条件下晶化10～40分钟，即制备得到钨酸锆薄膜。

2.根据权利要求1所述的钨酸锆薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中将1～1.6g硝酸氧锆加入到7～13mL溶剂中。

3.根据权利要求1所述的钨酸锆薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中将1.5g硝酸氧锆加入到10mL溶剂中。

4.在根据权利要求1或2所述的钨酸锆薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中在60～70℃条件下搅拌6～8min。

5.根据权利要求4所述的钨酸锆薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中将1.3～2.7g络合剂、17～22mL溶剂和1.6～3.3g的偏钨酸铵混合均匀得到B溶液。

6.根据权利要求1、2或5所述的钨酸锆薄膜的制备方法，其特征在于步骤三在45～55℃条件下陈化2天。

7.根据权利要求6所述的钨酸锆薄膜的制备方法，其特征在于步骤四中基片为AlN基片、BN基片、MgO基片、Al₂O₃基片、Si₃N₄基片、SiC基片、SiO₂基片、Si基片、Pt/Ti/SiO₂/Si基片或石英基片。

8.根据权利要求1、2、5或7所述的钨酸锆薄膜的制备方法，其特征在于步骤四中每平方厘米的基片上滴加0.03～0.06mL的溶胶。

9.根据权利要求8所述的钨酸锆薄膜的制备方法，其特征在于步骤四中以3200～3700r/min旋涂8～12s。

10.根据权利要求1、2、5、7或9所述的钨酸锆薄膜的制备方法，其特征在于步骤六中制备得到的钨酸锆薄膜的厚度为300～500nm。