[发明专利]钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p-n结及其制备方法

权利要求书

1.一种钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p-n结，其特征在于，所述的p-n结包括有单晶衬底、沉积在单晶衬底上的SnO₂层和沉积在SnO₂层上的La_0.7Sr_0.3MnO₃层；其中，所述的SnO₂层的厚度为100-300nm；所述的La_0.7Sr_0.3MnO₃层的厚度为100-300nm；

其中沉积在单晶衬底上的SnO₂层和沉积在SnO₂层上的La_0.7Sr_0.3MnO₃层是由下述沉积方法和条件制备的：

采用磁控溅射法在单晶衬底上沉积SnO₂层，沉积条件：射频功率为100-200W，SnO₂陶瓷为靶材，单晶衬底温度为300-600℃，工作气体为氩气和氧气，工作气压为0.5-1.0Pa，氧分压为5-15％；

采用磁控溅射法在上述获得的SnO₂层之上沉积La_0.7Sr_0.3MnO₃层，沉积条件：射频功率为100-200W，La_0.7Sr_0.3MnO₃陶瓷为靶材，单晶衬底温度为600-800℃，工作气体为氩气和氧气，工作气压为0.5-1.5Pa，氧分压为5-25％；

上述单晶衬底选自单晶Si(100)、单晶ZnF₂(100)或单晶TiO₂(100)。