[发明专利]刻蚀方法有效

申请号：	200910076643.3	申请日：	2009-01-12
公开（公告）号：	CN101777485A	公开（公告）日：	2010-07-14
发明（设计）人：	白志民	申请（专利权）人：	北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号：	H01L21/00	分类号：	H01L21/00;H01L21/02;H01L21/28
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	逯长明
地址：	100016***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	刻蚀方法
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【权利要求书】：

1.一种刻蚀方法，所述方法包括图案化光刻胶层、初刻蚀、主刻蚀和过刻蚀，其中，被刻蚀材料表面覆盖有正性的I线酚醛树脂光刻胶，掩模结构底部没有抗反射层，图案化光刻胶层时有光刻胶负载效应，其特征在于，所述初刻蚀采用氟基气体和氯基气体的混合气体形成等离子体，以补偿光刻胶负载效应对线宽均匀性的影响，在主刻蚀步骤进行之前改善线宽的均匀性。

2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述氟基气体包括 CF₄、CH₂F₂、CHF₃中的一种或至少两种的组合。

3.根据权利要求1或2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述氯基气体包括Cl₂、CH₂Cl₂、CH₃Cl中的一种或至少两种的组合。

4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述氟基气体为CF₄，所述氯基气体为Cl₂，其中，CF₄和Cl₂的流量比为2∶1至1∶1。

5.根据权利要求1或4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述氟基气体为 CF₄，所述氯基气体为Cl₂，其中，CF₄和Cl₂的总流量大于或等于40sccm。

6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀中采用的刻蚀气体包括：CF₄和O₂的混合气体，或Cl₂和O₂的混合气体。

7.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀中采用的刻蚀气体至少包括CH₂F₂、HBr或N₂中的一种或其任意组合。

8.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述初刻蚀采用CF₄和Cl₂的混合气体形成等离子体，所述主刻蚀采用O₂和Cl₂的混合气体形成等离子体。

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