[发明专利]利用苯并环丁烯制作介质桥的方法有效
| 申请号： | 200910077671.7 | 申请日： | 2009-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101800189A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 程伟;金智;苏永波;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/768;C07C13/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 丁烯 制作 介质 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用苯并环丁烯制作介质桥的方法，其特征在于，包括以下 步骤：
在基片上涂布光刻胶，光刻桥面位置的光刻胶，形成桥面位置的图形；
蒸发金属，剥离后形成由金属构成的桥面；
在基片上涂布光刻胶，光刻桥墩位置的光刻胶，形成桥墩位置的图形；
蒸发金属，剥离后形成由金属构成的桥墩；
在基片上涂布苯并环丁烯，并高温固化；
利用干法刻蚀将桥墩上方多余的苯并环丁烯刻蚀掉，直至露出桥墩为 止；
在苯并环丁烯上涂布光刻胶，光刻桥墩引线位置的光刻胶，形成桥墩 引线位置的图形；
蒸发金属，剥离后形成由金属构成的桥墩引线。
2.根据权利要求1所述的利用苯并环丁烯制作介质桥的方法，其特 征在于，所述桥墩位于桥面的上方。
3.根据权利要求1所述的利用苯并环丁烯制作介质桥的方法，其特 征在于，所述桥面长度不受到跨度的限制，该桥面不会发生断裂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910077671.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种滚筒洗衣机门组件
- 下一篇：带有清杂机构的籽棉喂料机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
