[发明专利]利用苯并环丁烯制作介质桥的方法有效
申请号: | 200910077671.7 | 申请日: | 2009-02-11 |
公开(公告)号: | CN101800189A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 程伟;金智;苏永波;刘新宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L21/768;C07C13/44 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 丁烯 制作 介质 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体器件和集成电路制造工艺技术领域,尤其涉及一种 利用苯并环丁烯制作介质桥的方法。
背景技术
在半导体器件和集成电路中,在两条布线交叉的位置经常需要采用空 气桥结构来实现两层金属的跨接。空气桥可以采用蒸发金属或者电镀金属 的方法进行制备,但是工艺过程比较复杂,且需要多次光刻。
目前常见的制作空气桥的方法有三种,一是采用复合胶电镀制作空气 桥,二是利用光刻胶将所需要的图形转移到牺牲层上制作空气桥,三是利 用光敏胶层制作空气桥。这三种方法制作的空气桥,最终形成的空气桥形 貌如图1所示,我们称之为传统的空气桥结构。
传统的空气桥技术有一些的技术缺陷:首先,在传统的空气桥结构中, 桥面位于桥墩的上方,当桥面跨度很大时,桥面受到的应力很大,容易导 致桥面断裂,因此传统空气桥结构无法实现很长的桥面。其次,当空气桥 制作完成之后,如果受到外力或者温度导致的热胀冷缩的影响,也容易发 生桥面塌陷甚至断裂,因此空气桥的可靠性较差。尤其是在单片集成电路 如果采用数量很多的空气桥的话,很容易发生某个空气桥塌陷或者断裂, 从而导致整个电路失效。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种利用苯并环丁烯制作介质 桥的方法,以简化制作工艺,提高介质桥的可靠性,解决传统空气桥工艺 中桥面容易发生断裂的问题。
(二)技术方案
为达到上述目的,本发明提供了一种利用苯并环丁烯制作介质桥的方 法,其特征在于,包括以下步骤:
在基片上涂布光刻胶,光刻桥面;
蒸发金属,剥离后形成桥面;
在基片上涂布光刻胶,光刻桥墩;
蒸发金属,剥离后形成桥墩;
在基片上涂布苯并环丁烯,并高温固化;
利用干法刻蚀将多余的苯并环丁烯刻蚀掉,直至露出桥墩为止;
在苯并环丁烯上涂布光刻胶,光刻桥墩引线;
蒸发金属,剥离后形成桥墩引线。
上述方案中,该方法采用苯并环丁烯作为介质,而传统的空气桥则是 采用空气作为介质。
上述方案中,所述桥墩位于桥面的上方。
上述方案中,所述桥面长度不受到跨度的限制,该桥面长度可很大且 不会发生断裂。
(三)有益效果
本发明提供的这种利用苯并环丁烯制作介质桥的方法,采用苯并环丁 烯作为介质,其桥面长度不像传统空气桥那样受到最大跨度的限制,解决 了传统空气桥工艺中桥面容易发生断裂的问题,具有1.简单且可控的工艺 步骤;2.可制作大尺寸的桥面而不会发生桥面塌陷或者断裂;3.比传统空 气桥结构具有更高的可靠性,非常适合应用在单片集成电路中。
另外,本发明提供的这种利用苯并环丁烯制作介质桥的方法,采用的 介质为苯并环丁烯,而传统空气桥采用的介质为空气;桥墩位于桥面的上 方,而传统空气桥的桥墩位于桥面的下方;桥面长度不像传统空气桥那样 受到跨度的限制。
附图说明
图1是传统空气桥结构的示意图;
图2为本发明提供的利用苯并环丁烯制作介质桥的方法流程图;
图3至图10是依照本发明实施例利用苯并环丁烯制作介质桥的工艺 流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实 施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。
如图2所示,图2为本发明提供的利用苯并环丁烯制作介质桥的方法 流程图,该方法包括以下步骤:
步骤201:在基片上涂布光刻胶,光刻桥面;
步骤202:蒸发金属,剥离后形成桥面;
步骤203:在基片上涂布光刻胶,光刻桥墩;
步骤204:蒸发金属,剥离后形成桥墩;
步骤205:在基片上涂布苯并环丁烯,并高温固化;
步骤206:利用干法刻蚀将多余的苯并环丁烯刻蚀掉,直至露出桥墩 为止;
步骤207:在苯并环丁烯上涂布光刻胶,光刻桥墩引线;
步骤208:蒸发金属,剥离后形成桥墩引线。
图3至图10是依照本发明实施例利用苯并环丁烯制作介质桥的工艺 流程图,具体包括如下步骤:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造