[发明专利]利用苯并环丁烯制作介质桥的方法有效

专利信息
申请号: 200910077671.7 申请日: 2009-02-11
公开(公告)号: CN101800189A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 程伟;金智;苏永波;刘新宇 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762;H01L21/768;C07C13/44
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 利用 丁烯 制作 介质 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体器件和集成电路制造工艺技术领域,尤其涉及一种 利用苯并环丁烯制作介质桥的方法。

背景技术

在半导体器件和集成电路中,在两条布线交叉的位置经常需要采用空 气桥结构来实现两层金属的跨接。空气桥可以采用蒸发金属或者电镀金属 的方法进行制备,但是工艺过程比较复杂,且需要多次光刻。

目前常见的制作空气桥的方法有三种,一是采用复合胶电镀制作空气 桥,二是利用光刻胶将所需要的图形转移到牺牲层上制作空气桥,三是利 用光敏胶层制作空气桥。这三种方法制作的空气桥,最终形成的空气桥形 貌如图1所示,我们称之为传统的空气桥结构。

传统的空气桥技术有一些的技术缺陷:首先,在传统的空气桥结构中, 桥面位于桥墩的上方,当桥面跨度很大时,桥面受到的应力很大,容易导 致桥面断裂,因此传统空气桥结构无法实现很长的桥面。其次,当空气桥 制作完成之后,如果受到外力或者温度导致的热胀冷缩的影响,也容易发 生桥面塌陷甚至断裂,因此空气桥的可靠性较差。尤其是在单片集成电路 如果采用数量很多的空气桥的话,很容易发生某个空气桥塌陷或者断裂, 从而导致整个电路失效。

发明内容

(一)要解决的技术问题

有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种利用苯并环丁烯制作介质 桥的方法,以简化制作工艺,提高介质桥的可靠性,解决传统空气桥工艺 中桥面容易发生断裂的问题。

(二)技术方案

为达到上述目的,本发明提供了一种利用苯并环丁烯制作介质桥的方 法,其特征在于,包括以下步骤:

在基片上涂布光刻胶,光刻桥面;

蒸发金属,剥离后形成桥面;

在基片上涂布光刻胶,光刻桥墩;

蒸发金属,剥离后形成桥墩;

在基片上涂布苯并环丁烯,并高温固化;

利用干法刻蚀将多余的苯并环丁烯刻蚀掉,直至露出桥墩为止;

在苯并环丁烯上涂布光刻胶,光刻桥墩引线;

蒸发金属,剥离后形成桥墩引线。

上述方案中,该方法采用苯并环丁烯作为介质,而传统的空气桥则是 采用空气作为介质。

上述方案中,所述桥墩位于桥面的上方。

上述方案中,所述桥面长度不受到跨度的限制,该桥面长度可很大且 不会发生断裂。

(三)有益效果

本发明提供的这种利用苯并环丁烯制作介质桥的方法,采用苯并环丁 烯作为介质,其桥面长度不像传统空气桥那样受到最大跨度的限制,解决 了传统空气桥工艺中桥面容易发生断裂的问题,具有1.简单且可控的工艺 步骤;2.可制作大尺寸的桥面而不会发生桥面塌陷或者断裂;3.比传统空 气桥结构具有更高的可靠性,非常适合应用在单片集成电路中。

另外,本发明提供的这种利用苯并环丁烯制作介质桥的方法,采用的 介质为苯并环丁烯,而传统空气桥采用的介质为空气;桥墩位于桥面的上 方,而传统空气桥的桥墩位于桥面的下方;桥面长度不像传统空气桥那样 受到跨度的限制。

附图说明

图1是传统空气桥结构的示意图;

图2为本发明提供的利用苯并环丁烯制作介质桥的方法流程图;

图3至图10是依照本发明实施例利用苯并环丁烯制作介质桥的工艺 流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实 施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。

如图2所示,图2为本发明提供的利用苯并环丁烯制作介质桥的方法 流程图,该方法包括以下步骤:

步骤201:在基片上涂布光刻胶,光刻桥面;

步骤202:蒸发金属,剥离后形成桥面;

步骤203:在基片上涂布光刻胶,光刻桥墩;

步骤204:蒸发金属,剥离后形成桥墩;

步骤205:在基片上涂布苯并环丁烯,并高温固化;

步骤206:利用干法刻蚀将多余的苯并环丁烯刻蚀掉,直至露出桥墩 为止;

步骤207:在苯并环丁烯上涂布光刻胶,光刻桥墩引线;

步骤208:蒸发金属,剥离后形成桥墩引线。

图3至图10是依照本发明实施例利用苯并环丁烯制作介质桥的工艺 流程图,具体包括如下步骤:

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