[发明专利]水平电场模式彩膜基板及其制造方法

权利要求书

1.一种水平电场模式彩膜基板，包括形成在基板上的黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜，其特征在于，所述基板与取向膜之间还设置有用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形。

2.根据权利要求1所述的水平电场模式彩膜基板，其特征在于，所述导电图形设置在所述黑矩阵图形所在区域。

3.根据权利要求1所述的水平电场模式彩膜基板，其特征在于，所述导电图形设置在所述保护层上。

4.根据权利要求3所述的水平电场模式彩膜基板，其特征在于，所述导电图形的宽度小于黑矩阵图形的宽度。

5.根据权利要求1所述的水平电场模式彩膜基板，其特征在于，所述导电图形设置在所述基板与黑矩阵图形之间或所述黑矩阵图形之上。

6.根据权利要求5所述的水平电场模式彩膜基板，其特征在于，所述导电图形与黑矩阵图形在同一次光刻工艺中形成。

7.根据权利要求1-6中任一权利要求所述的水平电场模式彩膜基板，其特征在于，所述导电图形为一体结构。

8.根据权利要求1-6中任一权利要求所述的水平电场模式彩膜基板，其特征在于，所述导电图形与阵列基板的公共电极连接。

9.一种水平电场模式彩膜基板制造方法，其特征在于，在基板上形成黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜的步骤中还包括在所述基板与取向膜之间形成用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形的步骤。

10.根据权利要求9所述的水平电场模式彩膜基板制造方法，其特征在于，在基板上形成黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜的步骤中还包括在所述基板与取向膜之间形成用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形的步骤包括：

步骤11、在基板上形成黑矩阵图形和彩色树脂图形；

步骤12、在完成步骤11的基板上形成保护层；

步骤13、在完成步骤12的基板上形成导电图形，所述导电图形位于黑矩阵图形所在区域；

步骤14、在完成步骤13的基板上形成取向膜。

11.根据权利要求10所述的水平电场模式彩膜基板制造方法，其特征在于，所述步骤13包括：在完成步骤12的基板上采用磁控溅射或热蒸发的方法沉积透明导电薄膜，在所述透明导电薄膜上涂覆光刻胶；采用普通掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，光刻胶完全保留区域对应于导电图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于导电图形以外区域；显影处理后，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶完全保留区域的光刻胶没有变化；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜，剥离剩余的光刻胶后形成导电图形，导电图形位于黑矩阵图形所在区域，其宽度小于黑矩阵图形的宽度。

12.根据权利要求9所述的水平电场模式彩膜基板制造方法，其特征在于，在基板上形成黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜的步骤中还包括在所述基板与取向膜之间形成用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形的步骤包括：

步骤21、在基板上形成黑矩阵图形和导电图形，所述导电图形位于基板与黑矩阵图形之间；

步骤22、在完成步骤21的基板上形成彩色树脂图形；

步骤23、在完成步骤22的基板上形成保护层；

步骤24、在完成步骤23的基板上形成取向膜。

13.根据权利要求12所述的水平电场模式彩膜基板制造方法，其特征在于，所述步骤21包括：采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板上沉积透明导电薄膜，然后涂覆树脂材料的黑矩阵材料层；采用普通掩模板对所述黑矩阵材料层进行曝光，使黑矩阵材料层形成完全保留区域和完全去除区域，完全保留区域对应于黑矩阵图形所在区域，完全去除区域对应于黑矩阵图形以外区域；显影处理后，完全去除区域的黑矩阵材料层被完全去除，完全保留区域的黑矩阵材料层全部保留；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉完全去除区域的透明导电薄膜，形成黑矩阵图形和导电图形，导电图形位于基板与黑矩阵图形之间，其宽度与黑矩阵图形的宽度相同。