[发明专利]水平电场模式彩膜基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器彩膜基板及其制造方法，特别是一种水平电场模式彩膜基板及其制造方法。

背景技术

近年来，液晶显示器(LCD)产品发展十分迅猛，越来越多高品质的液晶显示器逐渐上市。随着液晶显示器应用领域的不断拓宽，特别是大尺寸液晶电视的应用，要求液晶显示器具有宽阔的视角范围。为了扩展液晶显示器的视角，现有技术提出了多种显示模式，包括多畴垂直排列(MVA)模式、像素电极图形化垂直排列(PVA)模式、平面驱动(In-Plane Switching，简称IPS)模式以及利用边缘场的平面驱动(Fringe Field Switching，简称FFS)模式等。其中，水平电场模式通过采用边缘电场驱动的方式实现了广视角的显示效果，成为广视角技术中的一个重要发展方向。与VA模式相比，水平电场模式液晶显示器具有更好的可视角度，更低的驱动电压，更小的色偏，因此在高端手机屏、笔记本电脑屏、平板电脑屏、电视等领域得到广泛应用。

水平电场模式液晶显示器包括对盒的阵列基板和彩膜基板，其间设置液晶。水平电场模式(如FFS模式或IPS模式)液晶显示器中，液晶的初始排列方向为平行于基板表面，因此基板表面需要取向膜摩擦工艺实现液晶的初始排向。由于水平电场模式液晶显示器中的彩膜基板没有设置导电的公共电极，因此为避免在摩擦工艺中产生静电并改善彩膜基板在摩擦工艺中的静电释放能力，现有技术通常在彩膜基板的背面设置导电层。由于基板的厚度为0.5mm～1mm，使设置在彩膜基板背面的导电层与取向膜的距离较大，实际使用表明，现有技术水平电场模式的彩膜基板结构只能释放部分静电，未能完全消除摩擦静电。残留的静电不仅使摩擦工艺的均一性难于控制，降低液晶显示器的对比度，而且导致液晶显示器的良品率降低，在一定程度上制约了水平电场模式液晶显示器的应用。

发明内容

本发明的目的是提供一种水平电场模式彩膜基板及其制造方法，有效解决现有水平电场模式彩膜基板结构不能完全消除摩擦静电的技术缺陷。

为了实现上述目的，本发明提供了一种水平电场模式彩膜基板，包括形成在基板上的黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜，所述基板与取向膜之间还设置有用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形。

所述导电图形设置在所述黑矩阵图形所在区域。

所述导电图形可以设置在所述保护层上。进一步地，所述导电图形的宽度小于黑矩阵图形的宽度。

所述导电图形也可以设置在所述基板与黑矩阵图形之间或所述黑矩阵图形之上。进一步地，所述导电图形与黑矩阵图形在同一次光刻工艺中形成。

在上述技术方案基础上，所述导电图形为一体结构。所述导电图形与阵列基板的公共电极连接。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种水平电场模式彩膜基板制造方法，在基板上形成黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜的步骤中还包括在所述基板与取向膜之间形成用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形的步骤。

其中，在基板上形成黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜的步骤中还包括在所述基板与取向膜之间形成用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形的步骤可以包括：

步骤11、在基板上形成黑矩阵图形和彩色树脂图形；

步骤12、在完成步骤11的基板上形成保护层；

步骤13、在完成步骤12的基板上形成导电图形，所述导电图形位于黑矩阵图形所在区域；

步骤14、在完成步骤13的基板上形成取向膜。

所述步骤13包括：在完成步骤12的基板上采用磁控溅射或热蒸发的方法沉积透明导电薄膜，在所述透明导电薄膜上涂覆光刻胶；采用普通掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，光刻胶完全保留区域对应于导电图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于导电图形以外区域；显影处理后，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶完全保留区域的光刻胶没有变化；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜，剥离剩余的光刻胶后形成导电图形，导电图形位于黑矩阵图形所在区域，其宽度小于黑矩阵图形的宽度。

其中，在基板上形成黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜的步骤中还包括在所述基板与取向膜之间形成用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形的步骤也可以包括：

步骤21、在基板上形成黑矩阵图形和导电图形，所述导电图形位于基板与黑矩阵图形之间；

步骤22、在完成步骤21的基板上形成彩色树脂图形；

步骤23、在完成步骤22的基板上形成保护层；