[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 200910078446.5 | 申请日: | 2009-02-23 |
公开(公告)号: | CN101814511A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 陈旭;林承武;谢振宇;刘翔 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/528;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 曲鹏 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种TFT-LCD阵列基板,包括形成在基板上的栅线和数据线,所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管,其特征在于,所述数据线为具有使上下相邻像素区域的耦合电容产生相反变化的镜面对称结构;
所述数据线包括相互连接的数据线条和连接条,对于相同像素列中两个相邻的上像素区域和下像素区域,位于上像素区域左侧的数据线条通过所述连接条与位于下像素区域右侧的数据线条连接,或位于上像素区域右侧的数据线条通过所述连接条与位于下像素区域左侧的数据线条连接。
2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述连接条包括第一连接条、第二连接条和第三连接条,在同一像素区域内,所述第二连接条用于连接第一连接条与数据线条的下端,所述第三连接条用于连接第一连接条与数据线条的上端,使同一像素列的数据线具有镜面对称结构。
3.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述第一连接条与栅线同层并在同一次构图工艺中形成,所述第二连接条和第三连接条与像素电极同层并在同一次构图工艺中形成。
4.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述第一连接条与数据线同层并在同一次构图工艺中形成,所述第二连接条和第三连接条与像素电极同层并在同一次构图工艺中形成。
5.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述连接条为第四连接条,在同一像素区域内,所述第四连接条用于将位于所述像素区域一侧的数据线条的下端与位于所述像素区域另一侧的数据线条的上端连接起来,使同一像素列的数据线具有镜面对称结构。
6.根据权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述第四连接条与像素电极同层并在同一次构图工艺中形成。
7.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,对于相同像 素列中两个相邻的上像素区域和下像素区域,上像素区域的数据线位于像素电极的一侧,下像素区域的数据线位于像素电极的另一侧,使同一像素列的数据线具有镜面对称结构。
8.根据权利要求1~7中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述上下相邻像素区域为相同像素列中两个相邻的上像素区域和下像素区域,所述上像素区域包括1个~10个子像素,所述下像素区域包括1个~10个子像素。
9.根据权利要求1~7中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,对于两个相邻的像素区域,一个像素区域内子像素的薄膜晶体管位于像素区域的一侧,另一个像素区域内子像素的薄膜晶体管位于像素区域的另一侧,形成薄膜晶体管的错位结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的