[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器结构及其制造方法，尤其是一种 TFT-LCD阵列基板及其制造方法。

背景技术

近年来，随着数字化电视的普及，传统的CRT显示由于数字化困难以及 体积大、重量大、有辐射等缺点，逐渐被新一代显示技术替代。有代表性的 新一代显示技术包括PDP、OLED、LCD等。其中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有重量轻、 体积小、功耗低、无辐射、显示分辨率高等优点，逐渐成为主流产品。

TFT-LCD的主体结构包括对盒的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上形成 有栅线、数据线以及以矩阵方式排列的薄膜晶体管和像素电极，栅线上施加 的控制信号使数据线上的信号电压传送到像素电极上，通过控制液晶的偏转 实现显示所需画面。由于TFT-LCD生产制作工艺复杂，当制备的产品偏离设 计要求时将严重影响TFT-LCD的显示质量。例如，数据线与像素电极之间的 耦合电容C_pd对画面品质有很大影响，虽然在设计中相邻像素区域的耦合电容 C_pd是相同的，但在实际生产过程中，由于数据线和像素电极是在不同的构图 工艺中采用不同的掩模板分别形成，因此容易发生数据线与像素电极之间的 位置偏移，从而造成一部分宏观区域的耦合电容C_pd整体发生偏差。如果相 同像素列的像素电极均向一侧方向偏移，则该像素列的像素区域的耦合电容 C_pd均变大或变小，在显示亮度上反映为整体变亮或整体变暗，造成画面显 示不均匀，画面品质上表现为白色带状水印(Mura)或黑色带状水印。

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，有效解决现 有TFT-LCD存在的画面显示不均匀等缺陷。

为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在 基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极 和薄膜晶体管，所述数据线为具有使上下相邻像素区域的耦合电容产生相反 变化的镜面对称结构。

所述数据线包括相互连接的数据线条和连接条，对于相同像素列中两个 相邻的上像素区域和下像素区域，位于上像素区域左侧的数据线条通过所述 连接条与位于下像素区域右侧的数据线条连接，或位于上像素区域右侧的数 据线条通过所述连接条与位于下像素区域左侧的数据线条连接。

所述连接条可以包括第一连接条、第二连接条和第三连接条，在同一像 素区域内，所述第二连接条用于连接第一连接条与数据线条的下端，所述第 三连接条用于连接第一连接条与数据线条的上端，使同一像素列的数据线具 有镜面对称结构。进一步地，所述第二连接条和第三连接条与像素电极同层 并在同一次构图工艺中形成，所述第一连接条可以与栅线同层，也可以与数 据线同层。

所述连接条也可以为第四连接条，在同一像素区域内，所述第四连接条 用于将位于所述像素区域一侧的数据线条的下端与位于所述像素区域另一侧 的数据线条的上端连接起来，使同一像素列的数据线具有镜面对称结构。进 一步地，所述第四连接条与像素电极同层并在同一次构图工艺中形成。

对于相同像素列中两个相邻的上像素区域和下像素区域，上像素区域的 数据线位于像素电极的一侧，下像素区域的数据线位于像素电极的另一侧， 使同一像素列的数据线具有镜面对称结构。

在上述技术方案基础上，所述上下相邻像素区域为相同像素列中两个相 邻的上像素区域和下像素区域，所述上像素区域包括1个～10个子像素，所 述下像素区域包括1个～10个子像素。

在上述技术方案基础上，对于两个相邻的像素区域，一个像素区域内子 像素的薄膜晶体管位于像素区域的一侧，另一个像素区域内子像素的薄膜晶 体管位于像素区域的另一侧，形成薄膜晶体管的错位结构。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法， 包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅电 极的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导 体薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括有源层、数据线条、漏电极、 源电极和TFT沟道区域的图形；