[发明专利]掩膜板及其制造方法和掩膜曝光方法

权利要求书

1.一种掩膜板，包括衬底基板和成形在所述衬底基板上的遮光图案，所述遮光图案之外为透光区域，其特征在于：所述遮光图案包括变形图案，所述变形图案采用磁致伸缩材料或电致伸缩材料制成。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于：所述遮光图案还包括固定图案，所述变形图案与所述固定图案的边缘连接。

3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于：所述变形图案与所述固定图案连接的边缘搭设在所述固定图案边缘之上或之下。

4.根据权利要求1或2或3所述的掩膜板，其特征在于：所述变形图案包括三膜层；第一膜层的材质为磁致伸缩材料或电致伸缩材料，且伸缩应变系数大于零；第二膜层的材质为柔性材料；第三膜层的材质为磁致伸缩材料或电致伸缩材料，且伸缩应变系数小于零。

5.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于：所述第一膜层的磁致伸缩材料为铽-铁。

6.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于：所述第三膜层的磁致伸缩材料为钐-铁。

7.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于：所述电致伸缩材料为锆钛酸铅。

8.一种掩膜板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上采用构图工艺形成变形图案作为遮光图案，所述变形图案采用磁致伸缩材料或电致伸缩材料制成。

9.根据权利要求8所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，在衬底基板上采用构图工艺形成所述变形图案之前或之后，还包括：

在所述衬底基板上形成固定图案，所述固定图案与所述变形图案的边缘连接。

10.根据权利要求9所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，在所述衬底基板上采用构图工艺形成所述变形图案之前形成固定图案具体包括：

采用构图工艺在所述衬底基板上形成固定图案；

采用构图工艺在所述衬底基板上形成所述变形图案，且所述变形图案的边缘搭设在所述固定图案边缘之上。

11.根据权利要求9所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，在所述衬底基板上采用构图工艺形成所述变形图案之后形成固定图案具体包括：

采用构图工艺在所述衬底基板上形成变形图案；

采用构图工艺在所述衬底基板上形成所述固定图案，且所述变形图案的边缘搭设在所述固定图案边缘之下。

12.根据权利要求9所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，在所述衬底基板上采用构图工艺形成所述变形图案之前形成固定图案具体包括：

采用构图工艺在所述衬底基板上形成固定图案；

在所述固定图案的间隔中填充隔垫材料；

在所述固定图案和隔垫材料上涂覆磁致伸缩材料或电致伸缩材料作为第一薄膜；

在所述第一薄膜上涂覆柔性材料作为第二薄膜；

在所述第二薄膜上涂覆磁致伸缩材料或电致伸缩材料作为第三薄膜，且所述第三薄膜的伸缩应变系数与所述第一薄膜的伸缩应变系数之积为负数；

采用构图工艺形成包括第一膜层、第二膜层和第三膜层的变形图案，同时刻蚀掉所述隔垫材料，所述变形图案形成在所述固定图案间隔的上方，且所述变形图案的边缘搭设在所述固定图案边缘之上。

13.根据权利要求12所述的掩膜板的制造方法，其特征在于：所述隔垫材料为光刻胶或a-铟锡氧化物。

14.一种掩膜曝光方法，其特征在于，包括：

当采用掩膜板进行曝光时，在所述掩膜板上施加设定方向和/或设定大小的磁场或电场，以使所述掩膜板上的变形图案伸缩变形来改变透光区域的形状和/或尺寸。