[发明专利]掩膜板及其制造方法和掩膜曝光方法有效
申请号: | 200910080568.8 | 申请日: | 2009-03-20 |
公开(公告)号: | CN101840149A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 谢振宇;林承武;陈旭;郭建;刘翔 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/08 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 及其 制造 方法 曝光 | ||
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器生产技术,尤其涉及一种掩膜板及其制造方法和掩膜曝光方法。
背景技术
在液晶显示器(Liquid Crystal Display;以下简称:LCD)的生产过程中,经常需要使用各种类型的掩膜板(mask)在玻璃基板上掩膜曝光来形成各种不同的图形,例如信号线、栅极线、沟道和过孔等形状。图1为现有掩膜板的俯视结构示意图。掩膜板一般是以石英基板作为衬底基板(图中未示)的,将不透光材料在衬底基板上经过成膜、光刻和刻蚀等构图工艺后,形成固定图案2作为遮光图案,遮光图案之外即为透光区域3,成形后的遮光图案和透光区域3是固定的,不会再发生变化。掩膜板上的图案决定了在液晶显示器玻璃基板上刻蚀形成的图案。
现有掩膜板存在的缺陷是:当液晶显示器中的结构图案需要变化时,例如需要更改沟道宽度、信号线宽度或者过孔的直径等,或者掩膜板部分区域的孔径大小制作得不均匀的时候,由于掩膜板上的图案不可变,所以就需要重新制作掩膜板,导致产生了额外的费用,还延长了生产周期。
发明内容
本发明的目的是提供一种掩膜板及其制造方法和掩膜曝光方法,以减少重新制作掩膜板的需求,从而降低生产费用,避免生产周期的延长。
为实现上述目的,本发明提供了一种掩膜板,包括衬底基板和成形在所述衬底基板上的遮光图案,所述遮光图案之外为透光区域,其中:所述遮光图案包括变形图案,所述变形图案采用磁致伸缩材料或电致伸缩材料制成。
为实现上述目的,本发明还提供了一种掩膜板的制造方法,包括:
在衬底基板上采用构图工艺形成变形图案作为遮光图案,所述变形图案采用磁致伸缩材料或电致伸缩材料制成。
为实现上述目的,本发明还提供了一种掩膜曝光方法,包括:
当采用掩膜板进行曝光时,在所述掩膜板上施加设定方向和/或设定大小的磁场或电场,以使所述掩膜板上的变形图案伸缩变形来改变透光区域的形状和/或尺寸。
由以上技术方案可知,本发明采用电致伸缩材料或磁致伸缩材料的变形图案作为掩模板上遮光图案的技术手段,通过施加电场或磁场可以使变形图案发生形变,从而改变透光区域的形状和尺寸,所以可以减少重新制造掩膜板的需求,降低生产费用,避免延长生产周期。
附图说明
图1为现有掩膜板的俯视结构示意图;
图2为本发明掩膜板第一实施例的俯视结构示意图;
图3为本发明掩膜板第二实施例的俯视结构示意图;
图4为图3中的A-A向剖视结构示意图;
图5为本发明掩膜板第三实施例的俯视结构示意图;
图6为图5中的B-B向剖视结构示意图;
图7为本发明掩膜板第四实施例的俯视结构示意图;
图8为图7中的C-C向剖视结构示意图;
图9为本发明掩膜板第四实施例中变形图案翘曲的剖视结构示意图;
图10为本发明掩膜板的制造方法第一实施例的流程图;
图11为本发明掩膜板的制造方法第二实施例的流程图;
图12为本发明掩膜板的制造方法第二实施例中所制造的掩膜板剖视结构示意图。
具体实施方式
下面通过具体实施例并结合附图对本发明做进一步的详细描述。
掩膜板第一实施例
图2为本发明掩膜板第一实施例的俯视结构示意图,该掩膜板包括衬底基板,在衬底基板上采用磁致伸缩材料或电致伸缩材料制成有变形图案4,该变形图案4即作为遮光图案,在遮光图案之外为透光区域3。
采用本实施例的技术方案,当需要改变透光区域的尺寸时,可以在掩膜板上施加电场或磁场,使变形图案发生伸缩,从而改变透光区域的尺寸。该方案可以避免重新制作掩膜板,从而加快生产周期,提高生产效率。
掩膜板第二实施例
图3为本发明掩膜板第二实施例的俯视结构示意图,图4为图3中的A-A向剖视结构示意图。该掩膜板包括衬底基板1和成形在衬底基板1上的遮光图案,该遮光图案之外为透光区域3。该掩膜板上的遮光图案不仅包括变形图案4,还包括固定图案2。固定图案2可采用现有掩膜板上遮光图案的材料制成,图案成形后形状和尺寸不再变化。变形图案4采用磁致伸缩材料或电致伸缩材料制成,相当于一压电元件,与固定图案2的边缘连接。如图4所示,该变形图案4与固定图案2同层设置,变形图案4和固定图案2的形成先后顺序不限。
本实施例变形图案的材质可以为电致伸缩材料,例如锆钛酸铅(PZT)。或者也可以为磁致伸缩材料,例如铽-铁(Tb-Fe),钐-铁(Sm-Fe)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910080568.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备