[发明专利]一种非挥发性存储器以及其制造、编程和读取方法

权利要求书

1.一种浮栅结构的非挥发性存储器，其特征在于，其中的存储单元包括：

源极、漏极和浮栅；

所述漏极包括用于在漏极内部形成PN结的反型离子区；

所述源极与位线相连，所述漏极的反型离子区与字线相连。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，

所述浮栅和漏极之间的耦合电容大于所述浮栅和源极之间的耦合电容。

3.如权利要求2所述的非挥发性存储器，其特征在于，

所述漏极包括离子注入区，以及位于所述离子注入区中的反型离子区；

所述漏极的离子注入区部分的延伸至所述浮栅的下方，形成部分重叠。

4.如权利要求3所述的非挥发性存储器，其特征在于，

所述源极重掺杂区为N型重掺杂区，漏极的反型离子区为P型重掺杂区；所述漏极的离子注入区为N阱。

5.一种浮栅结构的非挥发性存储器，其特征在于，其中的存储单元包括：

源极、漏极和浮栅；

所述漏极包括P阱形式的离子注入区，以及位于所述离子注入区中的反型离子区；所述源极重掺杂区为P型重掺杂区，漏极的反型离子区为N型重掺杂区；

所述源极与字线相连，所述漏极的反型离子区与位线相连。

6.一种浮栅结构的非挥发性存储器的制造方法，其特征在于，包括：

形成基材，所述基材包括衬底；

在所述衬底的上部，形成作为漏极的离子注入区；

形成作为源极的离子注入区；所述漏极的离子注入区大于源极的离子注入区；

在所述漏极中注入反型离子，以在漏极内部形成PN结；

形成浮栅。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述源极重掺杂区为N型重掺杂区，漏极的反型离子区为P型重掺杂区；所述漏极的离子注入区为N阱；

则所述方法还包括：将所述源极与位线相连，将所述漏极的反型离子区与字线相连。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述N阱有部分延伸至所述浮栅的下方，形成部分重叠。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述源极重掺杂区为P型重掺杂区，漏极的反型离子区为N型重掺杂区；所述漏极的离子注入区为P阱；

则所述方法还包括：将所述源极与字线相连，将所述漏极的反型离子区与位线相连。

10.一种浮栅结构的非挥发性存储器的编程读取方法，其特征在于，

所述非挥发性存储器包括源极、漏极和浮栅；所述漏极包括用于在漏极内部形成PN结的反型离子区；所述浮栅和漏极之间的耦合电容大于所述浮栅和源极之间的耦合电容；所述源极与位线相连，所述漏极的反型离子区与字线相连；

针对待编程/读取单元，所述编程读取方法包括：

在所述位线上施加接地电压，在所述字线上施加编程电压或者读取电压。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，

所述漏极包括N阱形式的离子注入区，以及位于所述离子注入区中的反型离子区；所述源极重掺杂区为N型重掺杂区，漏极的反型离子区为P型重掺杂区；

所述漏极的离子注入区部分的延伸至所述浮栅的下方，形成部分重叠。

12.一种浮栅结构的非挥发性存储器的编程读取方法，其特征在于，

所述非挥发性存储器包括源极、漏极和浮栅；

所述漏极包括P阱形式的离子注入区，以及位于所述离子注入区中的反型离子区；所述源极重掺杂区为P型重掺杂区，漏极的反型离子区为N型重掺杂区；所述源极与字线相连，所述漏极的反型离子区与位线相连；

针对待编程/读取单元，所述编程读取方法包括：

在所述位线上施加接地电压，在所述字线上施加编程电压或者读取电压。