[发明专利]一种防止过冲的稳压电路及基准电路有效
申请号: | 200910083384.7 | 申请日: | 2009-05-05 |
公开(公告)号: | CN101881982A | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | 王晶;荣磊 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子(中国)有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56;H03K17/687;H02H9/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 100191 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 稳压 电路 基准 | ||
1.一种防止过冲的稳压电路,包括差动放大器、输出级、控制信号单元及开关电路;
所述差动放大器被输入预定的基准电压,根据所述预定基准电压产生放大电压;
所述输出级,根据所述放大电压产生所述稳压电路的输出;
所述控制信号单元根据所述差动放大器的基准电流,产生控制信号;当所述稳压电路刚上电时,所述差动放大器的基准电流还没建立,所述控制信号单元提供启动信号;当所述差动放大器的基准电流稳定后,所述控制信号单元提供关断信号;
所述开关电路,根据控制信号控制所述输出级;当所述控制信号为启动信号时,所述开关电路关断所述输出级;当所述控制信号为关断信号时,所述开关电路让所述差动放大器驱动所述输出级。
2.根据权利要求1所述的稳压电路,其特征在于,当所述输出级包括PMOS晶体管时,所述开关电路是PMOS晶体管,所述开关电路的PMOS晶体管的栅极与所述控制信号单元相连接,所述开关电路的PMOS晶体管的源极与电源相连,所述开关电路的PMOS晶体管的漏极与所述输出级的PMOS晶体管的栅极相连;
或者所述开关电路为NMOS晶体管,所述开关电路的NMOS晶体管的栅极与所述控制信号单元相连接,所述开关电路的NMOS晶体管的漏极与电源相连接,所述NMOS晶体管的源极与所述输出级的PMOS晶体管的栅极相连接;
或者所述开关电路为CMOS开关,所述CMOS开关连接于所述输出级的PMOS晶体管的栅极和电源之间,由所述控制信号来控制所述CMOS开关的导通或者断开。
3.根据权利要求1所述的稳压电路,其特征在于,当所述输出级包括NMOS晶体管时,所述开关电路是PMOS晶体管,所述开关电路的PMOS晶体管的栅极与所述控制信号单元相连接,所述开关电路的PMOS晶体管的漏极与地相连,所述开关电路的PMOS晶体管的源极与所述输出级的NMOS晶体管的栅极相连;
或者所述开关电路为NMOS晶体管,所述开关电路的NMOS晶体管的栅极与所述控制信号单元相连接,所述开关电路的NMOS晶体管的漏极与所述输出级的NMOS晶体管的栅极相连接,所述NMOS晶体管的源极与地相连接;
或者所述开关电路为CMOS开关,所述CMOS开关连接于所述输出级的NMOS晶体管的栅极和地之间,由所述控制信号来控制所述CMOS开关的导通或者断开。
4.根据权利要求1所述的稳压电路,其特征在于,当所述输出级包括PMOS晶体管时,所述开关电路根据所述控制信号将所述输出级PMOS晶体管的栅极在电源与所述差动放大器的输出之间切换。
5.根据权利要求1所述的稳压电路,其特征在于,当所述输出级包括NMOS晶体管时,所述开关电路根据所述控制信号将所述输出级PMOS晶体管的栅极在地与所述差动放大器的输出之间切换。
6.一种低功耗基准电路,包括带隙基准电路和稳压电路,其特征在于该基准电路还包括快速充电电路;
所述带隙基准电路,向所述稳压电路提供带隙基准电压、偏置电流和控制信号;其中所述带隙基准电路包括控制信号单元和基准产生电路;
所述控制信号单元在所述基准电路上电时根据带隙基准电路的基准电流产生控制信号,将所述控制信号送给所述基准产生电路、所述快速充电电路和所述稳压电路;当带隙基准电路的基准电流没有建立时,所述控制信号单元提供启动信号;当带隙基准电路的基准电流建立时,所述控制信号单元提供关断信号;
所述基准产生电路在上电时利用所述控制信号来正常启动,为所述稳压电路提供带隙基准电压和偏置电流;
所述稳压电路,包括差动放大器,第一开关电路,输出级;所述差动放大器接收所述带隙基准电压和偏置电流,根据所述带隙基准电压产生放大电压;所述输出级,根据所述放大电压产生所述稳压电路的输出;所述第一开关电路根据所述控制信号控制所述输出级,当所述控制信号为启动信号时,所述开关电路关断所述输出级;当所述控制信号为关断信号时,所述开关电路让所述差动放大器驱动所述输出级;
所述快速充电电路,用于在所述基准电路上电时为所述基准产生电路输出辅助电流,使所述带隙基准电压能快速建立,并且根据所述带隙基准电压的大小控制输出辅助电流,以防止所述带隙基准电压出现过冲。
7.根据权利要求6所述的基准电路,其特征在于,所述快速充电电路为一个栅极与一个固定偏置电压相连接,源极与所述带隙基准电压端相连接,漏极与电源相连接的NMOS晶体管。
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