[发明专利]实现打线封装的结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200910083426.7 | 申请日： | 2009-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101882587A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 江卢山;梅娜;章国伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 实现 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种实现打线封装结构的制作方法，应用于重布线焊垫RDL pad制作工序中，该方法包括：
在钝化层上形成第一再钝化层；
图案化所述第一再钝化层，在需要做RDL pad的位置作开口，露出钝化层；
在所述露出的钝化层上形成RDL pad；
在所述图案化的第一再钝化层及RDL pad上形成第二再钝化层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述RDL pad材料为铝。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层为氮化硅层或氮氧化硅层或氧化硅层。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一再钝化层和第二再钝化层为有机聚合物。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述有机聚合物为光敏苯并环丁烯BCB或者聚酰亚胺膜PI。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化的第一再钝化层通过曝光、显影步骤形成。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化所述第一再钝化层，在需要做RDL pad的位置作开口的面积等于RDL pad的截面积。
8.一种具有如权利要求1至7任一项所述的实现打线封装的结构，包括图案化的第一再钝化层、与钝化层接触的RDL pad和第二再钝化层；
所述图案化的第一再钝化层形成于钝化层上；
所述RDL pad位于图案化的第一再钝化层所作的开口内；
所述第二再钝化层位于图案化的第一再钝化层及RDL pad上。
9.如权利要求8所述的结构，其特征在于，所述图案化的第一再钝化层所作的开口的面积等于RDL pad的截面积。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910083426.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜太阳能电池沉积夹具
- 下一篇：市政污泥热氧化处理成套装备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
