[发明专利]实现打线封装的结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种实现打线封装的结构及其制作方法。

背景技术

目前，存储装置在完成前段制程之后，为了满足不同的应用需求，需要再做重布线焊垫(RDL pad)，对终端焊垫进行再分布，用于与终端焊垫实现连接。现有技术中都采用金(Au)作为RDL pad，因为打线(wire bonding)时也是采用的金线，金线打在RDL pad上，正是由于wire bonding时是金与金的接触，所以很容易实现，但是利用金作为RDL pad的材料，成本昂贵，不利于半导体制程的发展，所以现有技术中将铝用作RDL pad，现有技术铝作为RDL pad的半导体器件的剖面示意图如图1所示。下面详细说明现有技术中铝作为RDL pad的半导体器件的具体流程。

步骤11、在半导体衬底的互连层上形成钝化层(passivation)101，如氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层等；

步骤12、在所述钝化层101上形成第一再钝化层(re-passivation)102；

步骤13、在所述第一再钝化层102上形成Al RDL pad 103；

步骤14、在所述第一再钝化层102及Al RDL pad103上形成第二再钝化层104。

其中，第一再钝化层102和第二再钝化层104的材料相同，为光敏苯并环丁烯(BCB)或者聚酰亚胺膜(PI)等较软的有机聚合物，利用旋涂方法涂布第一再钝化层102和第二再钝化层104，然后经过加热、紫外辐射硬化等步骤最终形成第一再钝化层102和第二再钝化层104。

如果采用铝(Al)作为RDL pad，由于RDL pad的下面是比较软的再钝化层，如BCB、PI等等有机聚合物，这类材料的质地类似塑料，比较软，所以金线打在Al RDL pad上，由于Al和Au的材料不同，不能比较容易地融合在一起，所以就需要RDL pad下面有较刚性的材料作打线时的支撑，但是现有技术中RDL pad的下面是比较软的再钝化层，所以很容易出现打线失败(bonding fail)的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明解决的技术问题是：Al RDL pad的下面是比较软的再钝化层，所以在后续用金线进行打线封装时很容易出现打线失败的问题。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案具体是这样实现的：

本发明公开了一种实现打线封装结构的制作方法，应用于重布线焊垫RDLpad制作工序中，该方法包括：

在钝化层上形成第一再钝化层；

图案化所述第一再钝化层，在需要做RDL pad的位置作开口，露出钝化层；

在所述露出的钝化层上形成RDL pad；

在所述图案化的第一再钝化层及RDL pad上形成第二再钝化层。

所述RDL pad材料为铝。

所述钝化层为氮化硅层或氮氧化硅层或氧化硅层。

所述第一再钝化层和第二再钝化层为有机聚合物。

所述有机聚合物为光敏苯并环丁烯BCB或者聚酰亚胺膜PI。

所述图案化的第一再钝化层通过曝光、显影步骤形成。

所述图案化所述第一再钝化层，在需要做RDL pad的位置作开口的面积等于RDL pad的截面积。

本发明还公开了一种实现打线封装的结构，包括图案化的第一再钝化层、与钝化层接触的RDL pad和第二再钝化层；

所述图案化的第一再钝化层形成于钝化层上；

所述RDL pad位于图案化的第一再钝化层所作的开口内；

所述第二再钝化层位于图案化的第一再钝化层及RDL pad上。

所述图案化的第一再钝化层所作的开口的面积等于RDL pad的截面积。

由上述的技术方案可见，本发明在第一再钝化层上需要做RDL pad的位置形成开口(opening)，露出位于第一再钝化层下面的钝化层，使Al RDLpad与钝化层直接接触，这样钝化层相比于第一再钝化层和第二再钝化层来说较硬，用金线作wire bonding时，金线打在RDL pad上，正是由于有了RDL pad下面直接接触的钝化层的支撑，所以很容易实现wire bonding，有效地解决工艺上的问题。

附图说明

图1为现有技术中铝作为RDL pad的半导体器件的剖面结构示意图。

图2为本发明中铝作为RDL pad的半导体器件的流程示意图。

图3为本发明中具有经过优化的RDL pad的半导体器件的结构示意图。

图4为Al RDL pad与fuse相对位置的示意图。

具体实施方式