[发明专利]降低连接孔接触电阻的方法无效
| 申请号： | 200910083466.1 | 申请日： | 2009-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101882597A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 连接 接触 电阻 方法 | ||
1.一种降低连接孔接触电阻的方法，该方法包括在绝缘层和金属互连线之间制作阻挡膜，所述阻挡膜为钽Ta和氮化钽TaN的叠层结构，其特征在于，所述制作阻挡膜的具体方法为：
在绝缘层的沟槽和连接孔的底部和侧壁上形成TaN层(201)；
在所述TaN层(201)上形成Ta层(202)；
依次刻蚀连接孔底部上的Ta层(202)和TaN层(201)，形成开口，露出下层的铜互连线；
在沟槽及连接孔内的Ta层和露出的下层的铜互连线表面，沉积TaN层(401)；
在TaN层(401)的表面沉积Ta层(402)。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述TaN层(401)的厚度小于100埃。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述TaN层(401)的沉积在沉积反应腔内进行，具体工艺参数为：
沉积反应腔内靶上直流功率范围在10千瓦KW至40KW之间；线圈上的直流功率在0至1000瓦W之间；线圈上的直流射频功率在0至2500W之间；沉积反应腔底部交流偏置功率在0至1200W之间；向沉积反应腔中通入的氩气Ar背吹系统流量范围在2标准立方厘米每分钟sccm至20sccm；从沉积反应腔的上部进入腔内的Ar流量范围在2sccm至20sccm；通入氮气N2的流量为10sccm至60sccm；沉积TaN层的时间为0.5秒至5秒。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述沉积TaN层(401)的工艺参数为：
沉积反应腔内靶上直流功率为15KW；线圈上的直流功率为0W；线圈上的直流射频功率为0W；沉积反应腔底部交流偏置功率为400W；向沉积反应腔中通入的Ar背吹系统流量为4sccm；从沉积反应腔的上部进入腔内的Ar流量为4sccm；通入N2的流量为18sccm；沉积TaN层的时间为1秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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