[发明专利]一种调控巴氏杆菌发育繁殖的方法及其应用有效
申请号: | 200910087894.1 | 申请日: | 2009-06-25 |
公开(公告)号: | CN101580811A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
发明(设计)人: | 简恒;卜祥霞;陈忠孝;何强;刘倩 | 申请(专利权)人: | 中国农业大学 |
主分类号: | C12N1/20 | 分类号: | C12N1/20;C12N1/04;C12R1/01 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 关 畅;任凤华 |
地址: | 100094*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调控 杆菌 发育 繁殖 方法 及其 应用 | ||
1.一种调控穿刺巴氏杆菌(Pasteuria penetrans)或巴氏杆菌Pasteuria nishizawae发育繁殖的方法,是将其在大于等于8℃,小于20℃的温度范围内进行培养;所述穿刺巴氏杆菌(Pasteuria penetrans)是通过离心将其孢子附着在根结线虫(Meloidogyne spp.)上并侵染到根结线虫(Meloidogyne spp.)体内14-21天后得到的,所述巴氏杆菌Pasteuria nishizawae是通过离心将其孢子附着在胞囊线虫(Heterodera spp.)上并侵染到胞囊线虫(Heterodera spp.)体内14-21天后得到的。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述培养的温度范围为12℃-19℃。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述离心的条件为9000g离心3min。
4.权利要求1-3中任一所述的方法在巴氏杆菌菌丝体保存中的应用。
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