[发明专利]一种调控巴氏杆菌发育繁殖的方法及其应用有效

专利信息
申请号: 200910087894.1 申请日: 2009-06-25
公开(公告)号: CN101580811A 公开(公告)日: 2009-11-18
发明(设计)人: 简恒;卜祥霞;陈忠孝;何强;刘倩 申请(专利权)人: 中国农业大学
主分类号: C12N1/20 分类号: C12N1/20;C12N1/04;C12R1/01
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 关 畅;任凤华
地址: 100094*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 调控 杆菌 发育 繁殖 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种调控穿刺巴氏杆菌(Pasteuria penetrans)或巴氏杆菌Pasteuria nishizawae发育繁殖的方法,是将其在大于等于8℃,小于20℃的温度范围内进行培养;所述穿刺巴氏杆菌(Pasteuria penetrans)是通过离心将其孢子附着在根结线虫(Meloidogyne spp.)上并侵染到根结线虫(Meloidogyne spp.)体内14-21天后得到的,所述巴氏杆菌Pasteuria nishizawae是通过离心将其孢子附着在胞囊线虫(Heterodera spp.)上并侵染到胞囊线虫(Heterodera spp.)体内14-21天后得到的。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述培养的温度范围为12℃-19℃。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述离心的条件为9000g离心3min。

4.权利要求1-3中任一所述的方法在巴氏杆菌菌丝体保存中的应用。 

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