[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极，其特征在于，所述半导体层的表面为经表面处理形成的欧姆接触层，所述源电极和漏电极分别通过所述欧姆接触层与半导体层连接。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述表面处理为采用PH₃气体的P化处理，所述P化处理的射频功率为5KW～12KW，气压为100mT～400mT，气体的流量为1000～4000sccm。

3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述半导体层的厚度为

4.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述像素电极、栅线和栅电极形成在基板上并在同一次构图工艺中形成，即由透明导电薄膜形成的像素电极形成在基板上，栅电极和栅线下方保留有透明导电薄膜。

5.根据权利要求1～4中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述像素电极、栅线和栅电极上形成有栅绝缘层，所述半导体层形成在栅绝缘层上并位于栅电极的上方，钝化层形成在半导体层上并覆盖整个基板，位于半导体层所在位置的钝化层上开设有第二过孔和第三过孔，所述第二过孔和第三过孔内的半导体层表面为经表面处理形成的欧姆接触层，所述源电极和漏电极形成在钝化层上，所述源电极通过所述第三过孔内的欧姆接触层与半导体层连接，所述漏电极通过所述第二过孔内的欧姆接触层与半导体层连接。

6.根据权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述钝化层上还开设有第一过孔，所述漏电极通过所述第一过孔与像素电极连接。

7.根据权利要求1～4中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述像素电极、栅线和栅电极上形成有栅绝缘层，所述半导体层形成在栅绝缘层上并位于栅电极的上方，所述半导体层上形成有阻挡层，所述阻挡层两侧区域的半导体层表面为经表面处理形成的欧姆接触层，所述源电极通过位于阻挡层一侧的欧姆接触层与半导体层连接，所述漏电极通过位于阻挡层另一侧的欧姆接触层与半导体层连接。

8.根据权利要求7所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘上还开设有第一过孔，所述漏电极通过所述第一过孔与像素电极连接。

9.根据权利要求8所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层、半导体层、阻挡层和第一过孔在同一次构图工艺中形成。

10.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上依次沉积透明导电薄膜和栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极、栅线和栅电极的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上通过沉积结构层和构图工艺形成包括栅绝缘层和半导体层的图形，且所述半导体层的表面为经表面处理形成的欧姆接触层；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括数据线、源电极和漏电极的图形，所述源电极和漏电极分别通过所述欧姆接触层与半导体层连接。

11.根据权利要求10所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述表面处理为采用PH₃气体的P化处理，所述P化处理的射频功率为5KW～12KW，气压为100mT～400mT，气体的流量为1000～4000sccm。

12.根据权利要求10所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述半导体层的厚度为