[发明专利]一种独立栅控制的纳米线场效应晶体管有效
| 申请号： | 200910089213.5 | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101944539A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 张立宁;何进;张健 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;任凤华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 独立 控制 纳米 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种独立栅控制的纳米线场效应晶体管，是由外栅电极、内栅电极、源区、漏区、沟道区和内外栅介质层组成；
其中，所述内栅电极位于所述纳米线场效应晶体管的中心；
所述沟道区通过内栅介质层隔离，并同轴全包围所述内栅电极；
所述外栅电极与所述沟道区通过外栅介质隔离，并同轴全包围所述沟道区；
所述源区和漏区分别位于所述沟道区的两侧，并同轴全包围所述内栅介质区。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：所述构成沟道区的材料为不掺杂或掺杂浓度为1×1011cm-3-1×1015cm-3的半导体材料；
所述构成源区和漏区的材料为掺杂浓度为1×1020cm-3-2×1021cm-3的半导体材料。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于：所述构成沟道区的材料为硼掺杂浓度为1×1011cm-3的硅材料；
所述构成源区和漏区的材料为磷掺杂浓度为1×1020cm-3的硅材料。
4.根据权利要求1-3任一所述的晶体管，其特征在于：所述内栅电极的直径为10-15纳米；
所述内栅介质层的厚度为1.5-2纳米；
所述外栅电极的厚度为5-20纳米；
所述外栅介质层的厚度为1.5-2纳米；
所述沟道区的厚度为5-20纳米。
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