[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于，包括形成在基板上并限定了像素区域的第一栅线、第二栅线和数据线，所述像素区域内形成有像素电极、具有相同寄生电容的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，在所述第一栅线向第一薄膜晶体管提供开启电压时，所述第二栅线向第二薄膜晶体管提供第一电压，在所述第一栅线向第一薄膜晶体管提供关断电压时，所述第二栅线向第二薄膜晶体管提供第二电压，开启电压-关断电压＝第二电压-第一电压。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二电压为关断电压，所述第一电压为开启电压。

3.根据权利要求1或2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括第一栅电极、第一有源层、第一源电极、第一漏电极和TFT沟道区域，所述第一漏电极与第一栅电极具有第一重叠面积，所述第二薄膜晶体管包括第二栅电极、第二有源层和第二漏电极，所述第二漏电极与第二栅电极具有第二重叠面积，所述第一重叠面积与第二重叠面积相等。

4.根据权利要求3所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一栅电极形成在基板上并与所述第一栅线连接，其上覆盖有栅绝缘层；所述第一有源层包括半导体层和掺杂半导体层，形成在所述栅绝缘层上并位于第一栅电极的上方；所述第一源电极的一端位于所述第一栅电极的上方，另一端与所述数据线连接；所述第一漏电极的一端位于所述第一栅电极的上方，另一端与所述像素电极连接；所述TFT沟道区域形成在第一源电极与第一漏电极之间，所述TFT沟道区域的掺杂半导体层被完全刻蚀掉，并刻蚀掉部分厚度的半导体层，使TFT沟道区域的半导体层暴露出来，所述第一源电极、第一漏电极和TFT沟道区域上覆盖有钝化层，所述钝化层位于第一漏电极所在位置开设有使第一漏电极与像素电极连接的钝化层第一过孔。

5.根据权利要求3所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二栅电极形成在基板上并与所述第二栅线连接，其上覆盖栅绝缘层；所述第二有源层包括半导体层和掺杂半导体层，形成在所述栅绝缘层上并位于所述第二栅电极的上方；所述第二漏电极的一端位于所述第二栅电极的上方，另一端与所述像素电极连接，所述第二漏电极上覆盖有钝化层，所述钝化层位于第二漏电极所在位置开设有使第二漏电极与像素电极连接的钝化层第二过孔。

6.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，包括形成在所述基板上的公共电极线。

7.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一栅线、第二栅线、第一栅电极和第二栅电极的图形，所述第一栅电极与第一栅线连接，所述第二栅电极与第二栅线连接；

步骤2、在完成步骤1的基板上通过沉积结构层和构图工艺形成包括第一有源层、第二有源层、数据线、第一源电极、第一漏电极和第二漏电极的图形，所述第一漏电极与第一栅电极的重叠面积等于所述第二漏电极与第二栅电极的重叠面积；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包括钝化层第一过孔和钝化层第二过孔的图形，所述钝化层第一过孔位于第一漏电极的所在位置，所述钝化层第二过孔位于第二漏电极的所在位置；

步骤4、在完成步骤3的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极的图形，所述像素电极通过钝化层第一过孔与第一漏电极连接，通过钝化层第二过孔与第二漏电极连接。