[发明专利]掩膜板检测装置及检测方法有效
申请号: | 200910089983.X | 申请日: | 2009-07-30 |
公开(公告)号: | CN101989038A | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 董云;彭志龙 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;H01L21/66 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 检测 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体器件制造工艺中的掩膜板检测技术,尤其涉及一种掩膜板检测装置及检测方法。
背景技术
在液晶显示器(Liquid Crystal Display;以下简称:LCD)基板上的膜层等半导体器件的制造流程中,掩膜刻蚀是一种常用工艺。掩膜刻蚀工艺中需要用到掩膜板(Mask),掩膜板上具有设定的图案,进行曝光时,光线从掩膜板图案之间的空隙中透过,以便使待刻蚀的膜层形成相应的图案。由此可见,掩模板上的图案精度决定着膜层后续刻蚀出的图案精度。
在实际的生产环境中,可能会有小异物颗粒掉落附着在掩膜板上,当异物颗粒遮挡了图案之间的空隙时,就会影响曝光光线透过,进而影响膜层上对应位置的图案,出现重复性(Repeat)不良。如不能及时检测出掩膜板上的异物,就会使掩膜板的不良影响到多块待曝光的基板,从掩膜曝光工艺到基板的检测工艺之间可能会距离较长时间,这段时间内将产生大量不良产品。
现有技术中提供了一种检测掩膜板上异物颗粒的方法,即采用一检测光沿掩膜板的表面照射到掩膜板上,在掩膜板的表面设置有面传感器,用于检测是否有反射光,若有则证明掩膜板上存在异物遮挡使光反射。但是上述检测技术的误报警率很大,可操作性不强,各厂商都已放弃使用这一方案。
因此,在进行掩膜曝光之前,能够准确地检测到掩膜板上图案因异物颗粒等因素的影响而产生的变化是急待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种掩膜板检测装置及检测方法,以实现对掩膜板上图案变化的准确检测。
为实现上述目的,本发明提供了一种掩膜板检测装置,包括:
检测板,由绝缘材料制成;
电阻块,采用感光电阻材料制成,设置在所述检测板的表面上,用于在检测板与掩膜板平行且重叠设置时,接受穿过所述掩膜板照射在检测板上的光线;
控制模块,与所述电阻块相连,用于检测所述电阻块的电阻值并进行识别,当识别出电阻块的电阻值变化量大于或等于设定值时产生报警信息。
为实现上述目的,本发明还提供了一种掩膜板检测方法,包括:
将绝缘材料的检测板与掩膜板平行且重叠布设,所述检测板上设置有感光电阻材料制成的电阻块;
发射光线穿过所述掩膜板照射到所述检测板的电阻块上;
检测所述电阻块的电阻值并进行识别,当识别出电阻块的电阻值变化量大于或等于设定值时产生报警信息。
由以上技术方案可知,本发明的技术方案利用了感光电阻材料的电阻块,结合曝光光线照射,实现了对掩膜板图案变化的检测,具有较高的检测准确性,能够预防掩膜板图案变化对后续曝光刻蚀操作的影响。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的掩膜板检测装置的俯视结构示意图;
图2为本发明实施例一提供的掩膜板检测装置的检测状态示意图;
图3为本发明实施例二提供的掩膜板检测装置的俯视结构示意图;
图4为本发明实施例二提供的掩膜板检测装置的检测状态示意图;
图5为本发明实施例二提供的掩膜板检测装置没检测到异物颗粒的俯视结构示意图;
图6为本发明实施例二提供的掩膜板检测装置检测到异物颗粒的俯视结构示意图;
图7为本发明实施例三提供的掩膜板检测装置中控制模块的结构示意图;
图8为本发明实施例四提供的掩膜板检测方法的流程图;
图9为本发明实施例五提供的掩膜板检测方法中比较步骤的流程图;
图10为本发明实施例六提供的掩膜板检测方法中比较步骤的流程图。
具体实施方式
下面通过具体实施例并结合附图对本发明做进一步的详细描述。
实施例一
图1为本发明实施例一提供的掩膜板检测装置的俯视结构示意图。该检测装置包括检测板10、电阻块20和控制模块30。其中,检测板10由绝缘材料制成,例如可以为玻璃基板。电阻块20采用感光电阻材料制成,例如为高灵敏度感光电阻材料硫化镉,电阻块20设置在检测板10的表面上,具体可以采用沉膜等工艺按照设定图案镀设在检测板10的表面,电阻块20用于在检测板10与掩膜板40平行且重叠设置时,接受穿过掩膜板40照射在检测板10上的光线,照射所用的光线可以为紫外线、红外线等多种光线。控制模块30可以是由软件和/或硬件实现的功能模块,与电阻块20相连,用于检测电阻块20的电阻值并进行识别,当识别出电阻块20的电阻值变化量大于或等于设定值时产生报警信息。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910089983.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:离散余弦转换及其逆转换电路
- 下一篇:LED驱动器的浪涌电流限流器
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备