[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的数条栅线和数条数据线，所述栅线和数据线定义并限定数个像素区域，其特征在于，每个像素区域内形成有像素电极、控制所述像素电极充电的第一薄膜晶体管和控制所述像素电极预充电的第二薄膜晶体管。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别与所述像素电极相邻的栅线连接。

3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述栅线包括工作栅线和预充电栅线，所述第一薄膜晶体管与所述工作栅线连接，所述第二薄膜晶体管与所述预充电栅线连接。

4.根据权利要求2或3所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管与当前栅线连接，所述第二薄膜晶体管与上一行栅线连接；或所述第一薄膜晶体管与当前工作栅线连接，所述第二薄膜晶体管与当前预充电栅线连接，所述当前预充电栅线与上一行工作栅线相互连接或同时工作。

5.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管包括第二栅电极、第一连接电极和第二连接电极，所述第二栅电极与所述上一行栅线或所述当前预充电栅线连接，所述第一连接电极的一端位于所述第二栅电极的上方，另一端与一侧相邻像素区域的第二连接电极连接，所述第二连接电极的一端位于第二栅电极的上方，另一端与另一侧相邻像素区域的第一连接电极连接，所述第一连接电极或第二连接电极与所述像素电极连接。

6.根据权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二栅电极形成在基板上，其上覆盖栅绝缘层，包括第二半导体层和第二掺杂半导体层的第二有源层形成在栅绝缘层上并位于第二栅电极的上方，所述第一连接电极与第二连接电极之间形成第二TFT沟道区域，钝化层形成在上述构图上，其上开设有第二钝化层过孔；所述第二钝化层过孔用于使所述第一连接电极或第二连接电极与所述像素电极连接。

7.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一连接电极和第二连接电极与数据线同层设置，所述钝化层上还开设有第三钝化层过孔和第四钝化层过孔，与像素电极同层设置的第三连接电极通过第三钝化层过孔使第一连接电极与同一像素行一侧相邻像素区域的第二连接电极连接，通过第四钝化层过孔使第二连接电极与同一像素行另一侧相邻像素区域的第一连接电极连接。

8.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一连接电极和第二连接电极形成在覆盖数据线的绝缘层上，所述第一连接电极与同一像素行相邻像素区域的第二连接电极直接连接。

9.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤11、在基板上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、第一栅电极和第二栅电极的图形，所述第一栅电极和第二栅电极与栅线连接，分别位于栅线两侧的像素区域内；

步骤12、沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一有源层、第二有源层、数据线、源电极、漏电极、第一连接电极和第二连接电极的图形；

步骤13、沉积钝化层，通过构图工艺形成包括钝化层第一过孔、钝化层第二过孔、钝化层第三过孔和钝化层第四过孔的图形，所述钝化层第一过孔位于漏电极所在位置，所述钝化层第二过孔位于第一连接电极或第二连接电极所在位置，所述钝化层第三过孔位于第一连接电极的端部，所述钝化层第四过孔位于第二连接电极的端部；

步骤14、沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极和第三连接电极的图形，所述像素电极通过钝化层第一过孔与漏电极连接，通过钝化层第二过孔与第一连接电极或第二连接电极连接，所述第三连接电极分别通过钝化层第三过孔和钝化层第四过孔使相邻两个像素区域内的第一连接电极和第二连接电极相互连接。

10.根据权利要求9所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤11中的栅线包括工作栅线和预充电栅线，所述第一栅电极与工作栅线连接，所述第二栅电极与预充电栅线连接。