[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前平板显示器市场中占据了主导地位。TFT-LCD主要包括对盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板，其中阵列基板上形成有栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，每个像素电极由薄膜晶体管控制。当薄膜晶体管打开时，像素电极在打开时间内充电，薄膜晶体管关断后，像素电极电压将维持到下一次扫描时重新充电。

为了保护液晶的特性不受破坏，现有液晶显示器中都采用极性反转的方式进行驱动，目前主要的极性反转方式有：帧反转、行反转和点反转。以点反转为例，在一帧内每个像素电极与其相邻的像素电极的极性都不同，而在下一帧像素电极的极性又会反转。由于同一像素电极相邻两帧的电压极性正好相反，存在电压落差较大的特点，因此现有极性反转方式增加了像素电极充放电的难度，一方面造成充放电时间较长，另一方面造成驱动功耗较大。

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，有效解决现有技术中存在的像素电极充放电时间较长、驱动功耗较大等技术缺陷。

为实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的数条栅线和数条数据线，所述栅线和数据线定义并限定数个像素区域，每个像素区域内形成有像素电极、控制所述像素电极充电的第一薄膜晶体管和控制所述像素电极预充电的第二薄膜晶体管。

所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别与所述像素电极相邻的栅线连接。

所述栅线包括工作栅线和预充电栅线，所述第一薄膜晶体管与所述工作栅线连接，所述第二薄膜晶体管与所述预充电栅线连接。

所述第一薄膜晶体管与当前栅线连接，所述第二薄膜晶体管与上一行栅线连接；或所述第一薄膜晶体管与当前工作栅线连接，所述第二薄膜晶体管与当前预充电栅线，所述当前预充电栅线与上一行工作栅线相互连接或同时工作。

所述第二薄膜晶体管包括第二栅电极、第一连接电极和第二连接电极，所述第二栅电极与所述上一行栅线或所述当前预充电栅线连接，所述第一连接电极的一端位于所述第二栅电极的上方，另一端与一侧相邻像素区域的第二连接电极连接，所述第二连接电极的一端位于第二栅电极的上方，另一端与另一侧相邻像素区域的第一连接电极连接，所述第一连接电极或第二连接电极与所述像素电极连接。

所述第二栅电极形成在基板上，其上覆盖栅绝缘层，包括第二半导体层和第二掺杂半导体层的第二有源层形成在栅绝缘层上并位于第二栅电极的上方，所述第一连接电极与第二连接电极之间形成第二TFT沟道区域，钝化层形成在上述构图上，其上开设有第二钝化层过孔；所述第二钝化层过孔用于使所述第一连接电极或第二连接电极与所述像素电极连接。

所述第一连接电极和第二连接电极与数据线同层设置，所述钝化层上还开设有第三钝化层过孔和第四钝化层过孔，与像素电极同层设置的第三连接电极通过第三钝化层过孔使第一连接电极与同一像素行一侧相邻像素区域的第二连接电极连接，通过第四钝化层过孔使第二连接电极与同一像素行另一侧相邻像素区域的第一连接电极连接。

所述第一连接电极和第二连接电极形成在覆盖数据线的绝缘层上，所述第一连接电极与同一像素行相邻像素区域的第二连接电极直接连接。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括：

步骤11、在基板上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、第一栅电极和第二栅电极的图形，所述第一栅电极和第二栅电极与栅线连接，分别位于栅线两侧的像素区域内；

步骤12、沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一有源层、第二有源层、数据线、源电极、漏电极、第一连接电极和第二连接电极的图形；

步骤13、沉积钝化层，通过构图工艺形成包括钝化层第一过孔、钝化层第二过孔、钝化层第三过孔和钝化层第四过孔的图形，所述钝化层第一过孔位于漏电极所在位置，所述钝化层第二过孔位于第一连接电极或第二连接电极所在位置，所述钝化层第三过孔位于第一连接电极的端部，所述钝化层第四过孔位于第二连接电极的端部；