[发明专利]一种锗基肖特基晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种锗基肖特基晶体管的制备方法，其包括以下步骤：

1-1)在锗基衬底上制作MOS结构；

1-2)溅射金属镍膜；

1-3)进行第一次热处理，退火使上述金属镍薄膜层与位于其下方的锗层反应形成镍锗化物；

1-4)去除未反应的金属镍膜；

1-5)在反应生成的镍锗化物层中掺入杂质；

1-6)第二次热处理，热退火工艺温度介于400至600度，退火使得上述掺入的杂质激活驱入，在锗半导体衬底与镍锗化物源漏界面处杂质分凝，形成高浓度区域；

1-7)形成接触孔、金属连线。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1-1)具体包括：

2-1)在衬底上制作隔离区；

2-2)淀积一栅介质层；

2-3)制备栅结构；

2-4)形成侧墙结构。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述锗基衬底是体锗衬底或锗覆绝缘衬底。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述1-2)步骤中，在金属镍膜上制备一钛金属层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述1-3)步骤中，退火温度为350℃至600℃，退火时间为30秒至80秒。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述1-5)步骤中，对于PMOS，掺杂Al、Ga、In或Mg，对于NMOS，掺杂P、As、Sb、S或Se。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，掺杂剂量5e13至5e15atom/cm²。

8.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述1-6)步骤中，退火时间介于10秒至70秒。