[发明专利]液晶面板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910091149.4 申请日: 2009-08-10
公开(公告)号: CN101995700A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 闵泰烨;王章涛;邱海军 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/1345;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 液晶面板 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种液晶面板,包括对盒设置的第一显示基板和第二显示基板,所述第一显示基板和第二显示基板之间填充有液晶;所述第一显示基板包括第一衬底基板,所述第一衬底基板上形成有多条横纵交叉的栅扫描线和数据线,围设形成多个像素单元,每个像素单元中设置有TFT,所述TFT包括栅电极、有源层、源电极和漏电极,所述栅电极与栅扫描线相连,所述源电极与数据线相连,所述栅扫描线和栅电极上覆盖有栅极绝缘层,所述数据线、有源层、源电极和漏电极上覆盖有钝化层;所述第二显示基板包括第二衬底基板,所述第二衬底基板上形成有网状的黑矩阵层,围设形成与各像素单元对应的像素区域,其特征在于:

所述第二衬底基板的各像素区域中分别形成有像素电极和公共电极;

所述第一显示基板和第二显示基板之间形成有包含导电材料的第一隔垫物,所述第一隔垫物连接第二显示基板上的像素电极和通过第一过孔露出的漏电极;

公共电极线,形成在所述第一衬底基板或所述第二衬底基板上,与所述公共电极电连接。

2.根据权利要求1所述的液晶面板,其特征在于:所述钝化层上还形成有彩膜树脂层;或所述钝化层由彩膜树脂的材料制成。

3.根据权利要求1所述的液晶面板,其特征在于:所述像素电极和所述公共电极同层形成,且均呈具有多条缝隙的梳状图案,彼此相互凹凸配合;或所述像素电极和所述公共电极异层形成,以绝缘材料彼此间隔,且所述像素电极呈具有多条缝隙的梳状图案。

4.根据权利要求1所述的液晶面板,其特征在于:

所述公共电极线形成在所述第一衬底基板上,且与所述栅扫描线同层形成;覆盖所述公共电极线的栅极绝缘层和钝化层上对应公共电极线的位置形成有第二过孔;所述第一显示基板和第二显示基板之间形成有第二隔垫物,对应所述公共电极线和所述公共电极的位置设置,且所述第二隔垫物中包含有导电材料;所述第二隔垫物连接第二显示基板上的公共电极和通过第二过孔露出的公共电极线。

5.根据权利要求4所述的液晶面板,其特征在于:

包含导电材料的第一隔垫物和/或包含导电材料的第二隔垫物为掺杂有导电材料的隔垫物,或为表面覆盖有像素电极材料的隔垫物,所述像素电极材料作为所述导电材料。

6.根据权利要求1所述的液晶面板,其特征在于:

所述公共电极线形成在所述第二衬底基板上,且所述公共电极线上覆盖有公共电极绝缘层,所述像素电极和公共电极形成在所述公共电极绝缘层上;所述公共电极绝缘层上形成有第三过孔,对应所述公共电极线的位置;所述公共电极线通过所述第三过孔与所述公共电极电连接。

7.一种液晶面板的制造方法,其特征在于,包括:

在第一衬底基板上沉积栅扫描线薄膜;

对所述栅扫描线薄膜进行构图工艺,形成包括栅扫描线、栅电极和公共电极线的图案;

在形成栅扫描线、栅电极和公共电极线的第一衬底基板上形成栅极绝缘层薄膜;

在所述栅极绝缘层薄膜上沉积有源层薄膜和数据线薄膜;

对所述有源层薄膜和数据线薄膜进行构图工艺,形成包括数据线、有源层、源电极和漏电极的图案;

在所述数据线、有源层、源电极和漏电极上形成钝化层薄膜;

对所述钝化层薄膜和栅极绝缘层薄膜进行构图工艺,形成包括第一过孔和第二过孔的钝化层的图案,且形成包括所述第二过孔的栅极绝缘层的图案,所述第一过孔的位置对应各漏电极的位置,所述第二过孔的位置对应各公共电极线的位置;

在第二衬底基板上形成黑矩阵层和公共电极绝缘层;

在所述公共电极绝缘层上沉积像素电极薄膜;

对所述像素电极薄膜进行构图工艺,形成包括像素电极和公共电极的图案,所述像素电极和所述公共电极的图案均呈具有多条缝隙的梳状,彼此相互凹凸配合;

在所述像素电极的图案上形成第一隔垫物,在所述公共电极的图案上形成第二隔垫物,所述第一隔垫物和第二隔垫物包含有导电材料;

将所述第一衬底基板和所述第二衬底基板对盒,所述第一隔垫物对应所述第一过孔与所述漏电极接触,从而电连接所述像素电极和所述漏电极,所述第二隔垫物对应所述第二过孔与所述公共电极线接触,从而电连接所述公共电极和所述公共电极线。

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