[发明专利]液晶面板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及液晶显示技术，尤其涉及一种液晶面板及其制造方法。

背景技术

为了提高液晶显示器(Liquid Crystal Display；以下简称：LCD)的宽视角特性，特别是电视显示领域对各个视角的对比度(Contrast Ratio；以下简称：CR)，即对宽视角特性的高要求，目前提出了水平电场模式的LCD。水平电场模式的LCD主要包括平面内切换(In-Plane Switching；以下简称：IPS)模式和边缘场切换(Fringe Field Switching；以下简称：FFS)模式等。水平电场技术的特点是像素电极和公共电极之间形成水平电场来控制液晶分子的扭转。

图1为现有典型的IPS模式液晶面板中阵列基板的局部俯视结构示意图，图2为沿图1中A-A线的剖面结构示意图，同时在图2中增加示出了彩膜基板和液晶300的结构。如图1和图2所示，阵列基板包括第一衬底基板1，第一衬底基板1上形成多条横纵交叉的数据线3和栅扫描线2。数据线3和栅扫描线2围设成多个像素单元的阵列，图1和图2中所示为一个像素单元内的结构。在每个像素单元中包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下简称：TFT)、像素电极4、公共电极线5和公共电极6。TFT具体包括栅电极7、有源层8、源电极9和漏电极10。栅电极7连接栅扫描线2，源电极9连接数据线3，漏电极10连接像素电极4，用于向像素电极4施加工作电压。公共电极线5连接公共电极6，用于向公共电极6施加公用电压。像素电极4与公共电极6的图案均呈梳状，包括多条窄缝，像素电极4和公共电极6的图案彼此凹凸配合。上述导电的膜层之间以栅极绝缘层11和钝化层12保持绝缘。公共电极线5通常与栅扫描线2同层形成，通过第四过孔13与公共电极6相连。在垂直于阵列基板平面的方向上，像素电极4与异层设置的公共电极线5或栅扫描线2之间能够形成存储电容，用于在每帧显示的间隙中保持电场。如图2所示，彩膜基板通常包括第二衬底基板14，其上形成黑矩阵层15和彩膜树脂层16的图案。通常对应彩膜基板的黑矩阵层15区域上形成隔垫物17，在彩膜基板和阵列基板对盒之后用于保持两基板之间的距离，即盒厚。彩膜基板和阵列基板因其上设置的薄膜结构而得名，一般可统称为显示基板。

现有技术中，无论从减少产品成本和提高显示效果方面，都存在提高液晶面板透过率的需求。现有技术提高液晶面板透过率的一种途径是提高像素单元的开口率。所谓开口率即每个像素单元内，透光区域的面积占整个像素单元面积的比例，数据线、栅扫描线和TFT的区域需要被黑矩阵遮挡，均属于非透光区域。非透光区域越大，则开口率越低。

现有技术目前提供的一种技术方案是减小相邻像素单元的像素电极之间的距离，从而减小对应的黑矩阵的宽度来提高开口率。但该方案的缺陷是两像素电极与其间的数据线之间的距离也相应变小，导致像素电极与数据线之间形成的寄生电容值增大，影响了显示效果。

现有技术目前提供的另一种技术方案是在上述方案的基础上增加钝化层的厚度。像素电极位于钝化层之上，而数据线位于钝化层之下，所以增加钝化层的厚度即增加了像素电极与数据线之间的距离，可以降低像素电极与数据线之间形成的寄生电容值。但是，该方案存在的问题是：钝化层的厚度需要达到2微米(μm)以上，才能在像素电极之间的距离从15μm缩小到6～8μm的情况下，将寄生电容值降低到符合要求的限值以下。然而，钝化层通常是采用氮化硅制备的，由于薄膜应力(filmstress)作用，所以氮化硅薄膜很难将厚度做到0.5～1μm以上。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种液晶面板及其制造方法，以在液晶面板上相邻像素电极之间的距离减小时，减少寄生电容的影响。

为实现上述目的，本发明提供了一种液晶面板，包括对盒设置的第一显示基板和第二显示基板，所述第一显示基板和第二显示基板之间填充有液晶；所述第一显示基板包括第一衬底基板，所述第一衬底基板上形成有多条横纵交叉的栅扫描线和数据线，围设形成多个像素单元，每个像素单元中设置有TFT，所述TFT包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，所述栅电极与栅扫描线相连，所述源电极与数据线相连，所述栅扫描线和栅电极上覆盖有栅极绝缘层，所述数据线、有源层、源电极和漏电极上覆盖有钝化层；所述第二显示基板包括第二衬底基板，所述第二衬底基板上形成有网状的黑矩阵层，围设形成与各像素单元对应的像素区域，其中：

所述第二衬底基板的各像素区域中分别形成有像素电极和公共电极；