[发明专利]基于RC触发的双通道静电放电保护电路

权利要求书

1.基于RC触发的双通道静电放电保护电路，其特征在于：由延迟产生单元(3)、衬底触发单元(4)、低压栅极触发单元(5)和静电放电器件(6)组成，延迟产生单元(3)、衬底触发单元(4)、低压栅极触发单元(5)和静电放电器件(6)并联后接于电源(1)和地(2)之间，延迟产生单元(3)产生共用延迟脉冲同时提供给衬底触发单元(4)和低压栅极触发单元(5)，衬底触发单元(4)产生衬底触发电平接至静电放电器件(6)的衬底(604)，低压栅极触发单元(5)产生栅极触发电平接至静电放电器件(6)的栅极(601)，静电放电器件(6)的漏极(602)接电源(1)，静电放电器件(6)的源极(603)接地(2)。

2.根据权利要求1所述的基于RC触发的双通道静电放电保护电路，其特征在于：所述的延迟产生单元(3)由耗尽型PMOS器件(301)和电容(302)组成，耗尽型PMOS器件(301)和电容(302)串联后接于电源(1)和地(2)之间，耗尽型PMOS器件(301)的源极(303)和衬底(306)接电源(1)，栅极(304)接地(2)，漏极(305)接电容(302)，耗尽型PMOS器件(301)的漏极(305)与电容(302)的连接点构成输出端(307)用于输出延迟脉冲。

3.根据权利要求2所述的基于RC触发的双通道静电放电保护电路，其特征在于：所述的电容(302)由耗尽型NMOS器件组成，耗尽型NMOS器件的栅极(314)接地(2)，源极(312)、衬底(313)和漏极(311)短接在一起接至延迟产生单元(3)中耗尽型PMOS器件(301)的漏极(305)。

4.根据权利要求1所述的基于RC触发的双通道静电放电保护电路，其特征在于：所述的衬底触发单元(4)由耗尽型PMOS器件(401)和耗尽型NMOS器件(402)串联而成，耗尽型PMOS器件(401)的栅极(405)和耗尽型NMOS器件(402)的栅极(409)相连接形成衬底触发单元(4)的输入端(403)，耗尽型PMOS器件(401)的漏极(407)和耗尽型NMOS器件(402)的漏极(410)相连接形成衬底触发单元(4)的输出端(404)，耗尽型PMOS器 件(401)的源极(406)和衬底(408)接电源(1)，耗尽型NMOS器件(402)的源极(411)和衬底(412)接地(2)。

5.根据权利要求1所述的基于RC触发的双通道静电放电保护电路，其特征在于：所述的低压栅极触发单元(5)由耗尽型PMOS器件(501)、电阻(502)和二极管(503)组成，电阻(502)与二极管(503)并联后与耗尽型PMOS器件(501)串联接在电源(1)和地(2)之间，耗尽型PMOS(501)的栅极(506)作为低压栅极触发单元(5)的输入端(509)，衬底(508)和源极(505)接电源(1)，漏极(507)接电阻(502)和二极管(503)，漏极(507)、电阻(502)和二极管(503)的连接点形成低压栅极触发单元(5)的输出端(504)。

6.根据权利要求1所述的基于RC触发的双通道静电放电保护电路，其特征在于：所述的静电放电器件(6)为多插指型结构的NMOS器件，P^-衬底(604)包括条形和环形两部分，环形衬底(604)位于条形衬底(604)的四周，条形衬底(604)的两侧相邻的N⁺区域为源极(603)，源极(603)的另一侧比邻的为栅极(601)，在相邻两个栅极(601)之间的N⁺区域为漏极(602)。