[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述栅线和数据线同层设置，所述像素电极形成在覆盖所述栅线和数据线的绝缘层上。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极与栅线同层设置，掺杂半导体层形成在所述源电极和漏电极上，半导体层形成在所述掺杂半导体层上并覆盖源电极与漏电极之间的沟道，所述薄膜晶体管的栅电极形成在绝缘层上，所述栅电极通过绝缘层上开设的第三过孔与栅线连接。

3.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述栅线为水平设置的整体结构，所述数据线为竖直设置的间断结构，位于相邻的两条栅线之间，所述数据线通过绝缘层上开设的第二过孔和绝缘层上形成的数据连接线连接成整体。

4.根据权利要求3所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述像素电极、数据连接线和栅电极同层设置，并在同一次构图工艺中形成。

5.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述数据线为竖直设置的整体结构，所述栅线为水平设置的间断结构，位于相邻的两条数据线之间，所述栅线通过绝缘层上开设的第二过孔和绝缘层上形成的栅连接线连接成整体。

6.根据权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述像素电极、栅连接线和薄膜晶体管的栅电极同层设置，并在同一次构图工艺中形成。

7.根据权利要求1～6中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述像素电极搭设在所述栅线上。

8.根据权利要求1～6中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，还包括与栅线同层设置的公共电极线，所述公共电极线为水平设置的间断结构，位于相邻的两条数据线之间，所述公共电极线通过绝缘层上开设的第四过孔和绝缘层上形成的公共连接线连接成整体。

9.根据权利要求8所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述像素电极、公共连接线和薄膜晶体管的栅电极同层设置，并在同一次构图工艺中形成。

10.根据权利要求1～6中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，还包括遮挡层，所述遮挡层位于薄膜晶体管的TFT沟道区域的下方。

11.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

通过构图工艺在基板上形成包括栅线、数据线、源电极、漏电极和掺杂半导体层的图形，所述栅线为水平设置的整体结构，所述数据线为竖直设置的间断结构，或所述栅线为水平设置的间断结构，所述数据线为竖直设置的整体结构；

通过构图工艺形成包括半导体层的图形；

通过构图工艺形成包括第一过孔、第二过孔和第三过孔的绝缘层，所述第一过孔位于所述漏电极的上方，所述第二过孔位于间断结构的栅线或数据线的两个端部，所述第三过孔位于所述栅线的上方；

通过构图工艺形成包括像素电极、连接线和栅电极的图形，所述像素电极通过第一过孔与漏电极连接，所述栅电极通过第三过孔与栅线连接，所述连接线通过第二过孔使间断结构的栅线或数据线连接成整体。