[发明专利]液晶显示基板及其制造方法有效
申请号: | 200910093195.8 | 申请日: | 2009-09-25 |
公开(公告)号: | CN102033370A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 孙冰 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G03F7/00;H01L23/528;H01L21/768 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示基板,包括衬底基板,所述衬底基板上形成多种导电结构的图案,各所述导电结构相互间隔或通过绝缘层保持绝缘,其特征在于:
形成有导电结构的绝缘层上形成有沟槽,所述导电结构的图案至少部分形成在所述沟槽中。
2.根据权利要求1所述的液晶显示基板,其特征在于:
形成在所述沟槽中的导电结构包括栅极扫描线、栅电极、公共电极线、数据线、源电极和漏电极中的至少一个。
3.根据权利要求2所述的液晶显示基板,其特征在于:
所述栅极扫描线、栅电极或公共电极线与所述衬底基板之间的绝缘层为衬底绝缘层,所述衬底绝缘层上形成的沟槽包括第一沟槽,所述栅极扫描线、栅电极和公共电极线中的至少一个形成在所述第一沟槽中。
4.根据权利要求3所述的液晶显示基板,其特征在于:
所述栅极扫描线、栅电极或公共电极线上覆盖的绝缘层为栅绝缘层,所述数据线、源电极和漏电极形成在所述栅绝缘层之上;
所述衬底绝缘层上形成的沟槽还包括第二沟槽,形成在所述栅绝缘层之上的所述数据线、源电极和漏电极中的至少一个形成在所述第二沟槽中。
5.根据权利要求4所述的液晶显示基板,其特征在于:所述第一沟槽的深度大于或等于所述第二沟槽的深度。
6.根据权利要求2或3所述的液晶显示基板,其特征在于:
所述栅极扫描线、栅电极或公共电极线之上的绝缘层为栅绝缘层,所述栅绝缘层上形成的沟槽包括第三沟槽,且第三沟槽的深度小于栅绝缘层的厚度,所述数据线、源电极和漏电极中的至少一个形成在所述第三沟槽中。
7.一种液晶显示基板的制造方法,包括在衬底基板上形成相互间隔或通过绝缘层保持绝缘的导电结构的图案的步骤,其特征在于,在绝缘层上形成导电结构之前,还包括:
在所述绝缘层上形成沟槽,所述导电结构的图案至少部分形成在所述沟槽中。
8.根据权利要求7所述的液晶显示基板的制造方法,其特征在于,在衬底基板上形成相互间隔或通过绝缘层保持绝缘的导电结构的图案,且在绝缘层上形成沟槽包括:
在衬底基板上形成衬底绝缘薄膜;
对所述衬底绝缘薄膜进行构图工艺,形成包括第一沟槽的衬底绝缘层的图案;
在所述衬底绝缘层上沉积栅金属薄膜;
对所述栅金属薄膜进行构图工艺,形成包括栅电极、栅极扫描线和公共电极线的图案,且所述栅电极、栅极扫描线和公共电极线中的至少一个形成在所述第一沟槽中。
9.根据权利要求8所述的液晶显示基板的制造方法,其特征在于,对所述衬底绝缘薄膜进行构图工艺,形成包括第一沟槽的衬底绝缘层的图案的同时,还包括:
在衬底绝缘层上形成第二沟槽的图案,所述第二沟槽的位置对应所述数据线、源电极和漏电极中至少一个的位置。
10.根据权利要求9所述的液晶显示基板的制造方法,其特征在于,对所述衬底绝缘薄膜进行构图工艺,形成包括第一沟槽和第二沟槽的衬底绝缘层的图案包括:
在所述衬底绝缘薄膜上涂覆光刻胶;
采用双色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影处理,形成完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域;
进行第一次刻蚀,刻蚀所述完全去除区域对应的衬底绝缘薄膜,形成包括部分深度的第一沟槽的衬底绝缘层的图案;
按照部分保留区域光刻胶的厚度灰化去除光刻胶;
进行第二次刻蚀,刻蚀所述部分保留区域和完全去除区域对应的衬底绝缘薄膜,形成包括第一沟槽和第二沟槽的衬底绝缘层的图案,且所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。
11.根据权利要求7所述的液晶显示基板的制造方法,其特征在于,在衬底基板上形成相互间隔或通过绝缘层保持绝缘的导电结构的图案,且在绝缘层上形成沟槽包括:
在衬底基板上形成衬底绝缘薄膜;
在所述衬底绝缘薄膜上涂覆光刻胶;
采用单色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影处理,形成完全去除区域和完全保留区域;
对所述衬底绝缘薄膜进行刻蚀,形成包括第一沟槽的衬底绝缘层的图案;
在涂覆有光刻胶的所述衬底绝缘层上沉积栅金属薄膜;
剥离所述光刻胶及其上的栅金属薄膜,形成包括栅电极、栅极扫描线和公共电极线的图案,且所述栅电极、栅极扫描线和公共电极线保留在所述第一沟槽中。
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