[发明专利]液晶显示基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及液晶显示技术，尤其涉及一种液晶显示基板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay；以下简称：TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。

TFT-LCD通常包括对盒设置的两个液晶显示基板，一般即阵列基板和彩膜基板对盒，其间填充液晶。阵列基板一般包括一衬底基板，在衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅极扫描线，围设形成矩阵形式的多个像素单元。每个像素单元中都设有一个TFT开关，TFT开关包括栅电极、有源层、源电极和漏电极。栅电极与栅极扫描线相连，一般与栅极扫描线采用相同材质同时形成；源电极连接数据线，漏电极连接像素电极，通常源电极和漏电极与数据线采用相同材质同时形成。有源层位于栅电极与源电极和漏电极之间。当栅电极通入高电平时，源电极和漏电极通过有源层导通，将数据线的电压通入像素电极。

现有阵列基板的结构中，栅极扫描线、栅电极、数据线、源电极和漏电极等导电结构的图案之间存在相互交叠的区域，这些交叠区域之间容易形成交叠电容C，使TFT开关的动作时间形成一定的延迟。延迟时间还与各个导电结构的电阻R有关。电阻R和电容C之间的乘积越大则延迟越明显。

增加导电结构的横截面积是降低电阻的一种途径。但是，增加数据线、栅极扫描线等图案的宽度会减小像素单元能够透光区域的面积，即降低了开口率。若增加数据线、栅极扫描线等图案的厚度，则使阵列基板上导电结构图案在其下层的绝缘层平面的高度差过大，随后形成另一层导电结构图案的时候就容易出现断线的现象而导致不良，或者在进行摩擦取向(Rubbing)时容易出现断裂、不均匀问题，所以现有技术通常对导电结构图案的厚度有较大的限制。

发明内容

本发明的目的是提供一种液晶显示基板及其制造方法，以减小对导电结构图案厚度的限制。

为实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成多种导电结构的图案，各所述导电结构相互间隔或通过绝缘层保持绝缘，其中：

形成有导电结构的绝缘层上形成有沟槽，所述导电结构的图案至少部分形成在所述沟槽中。

为实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示基板的制造方法，包括在衬底基板上形成相互间隔或通过绝缘层保持绝缘的导电结构的图案的步骤，其中，在绝缘层上形成导电结构之前，还包括：

在所述绝缘层上形成沟槽，所述导电结构的图案至少部分形成在所述沟槽中。

由以上技术方案可知，本发明采用将导电结构形成在绝缘层的沟槽中的技术手段，减小了导电结构在其下绝缘层表面的高度差，从而减小了对导电结构厚度的限制。适当增加不同导电结构的厚度可以带来多方面的有益效果。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的液晶显示基板的局部俯视结构示意图；

图2为图1中的A-A向剖面结构示意图；

图3为图1中的B-B向剖面结构示意图；

图4为本发明实施例二提供的液晶显示基板的局部剖面结构示意图；

图5为本发明实施例二提供的液晶显示基板中衬底绝缘层的局部俯视结构示意图；

图6为本发明实施例三提供的液晶显示基板的局部剖面结构示意图；

图7为本发明实施例三提供的液晶显示基板中栅绝缘层的局部俯视结构示意图；

图8为本发明实施例四提供的液晶显示基板的制造方法的流程图；

图9为本发明实施例五提供的液晶显示基板的制造方法中制备衬底绝缘层的流程图；

图10为本发明实施例六提供的液晶显示基板的制造方法的流程图。

具体实施方式

下面通过具体实施例并结合附图对本发明做进一步的详细描述。

本发明实施例提供了一种液晶显示基板，该液晶显示基板包括衬底基板，在衬底基板上形成多种导电结构的图案。具体的，导电结构可以包括栅极扫描线、栅电极、公共电极线、数据线、源电极、漏电极和像素电极等结构。各导电结构相互间隔或通过绝缘层保持绝缘，例如，栅极扫描线、栅电极和公共电极线形成在衬底基板上，数据线、源电极和漏电极形成在栅绝缘层上，像素电极形成在钝化层上，各层之间保持相互绝缘。其中，形成有导电结构的绝缘层上形成有沟槽，导电结构的图案至少部分形成在沟槽中。