[发明专利]阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

通过构图工艺，在衬底基板上形成包括横纵交叉的数据线和栅扫描线以及栅电极的图案，且所述数据线为断续设置从而与所述栅扫描线相互间隔，或所述栅扫描线为断续设置从而与所述数据线相互间隔；

通过构图工艺，在形成上述图案的衬底基板上形成有源层的图案以及包括跨接过孔和源电极过孔的栅极绝缘层的图案，所述跨接过孔的位置对应断续且相邻的所述数据线或栅扫描线的位置，所述源电极过孔的位置对应所述数据线的位置；

通过构图工艺，在形成上述图案的衬底基板上形成包括像素电极、源电极、漏电极和跨接线的图案，所述像素电极与所述漏电极的图案一体成型，所述源电极通过所述源电极过孔与所述数据线相连，所述跨接线通过所述跨接过孔连接断续且相邻的所述数据线或栅扫描线。

2.根据权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，在形成包括像素电极、源电极、漏电极和跨接线的图案之后，还包括：

在形成上述图案的衬底基板上形成保护膜层。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板制造方法，其特征在于，通过构图工艺，在衬底基板上形成包括横纵交叉的数据线和栅扫描线以及栅电极的图案包括：

在所述衬底基板上沉积金属薄膜；

在所述金属薄膜上涂覆光刻胶；

采用普通掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影操作，形成包括完全保留区域和完全去除区域的图案；

对所述金属薄膜进行刻蚀，刻蚀掉所述完全去除区域对应的金属薄膜，形成至少包括所述数据线和栅扫描线以及栅电极的图案。

4.根据权利要求1或2所述的阵列基板制造方法，其特征在于，通过构图工艺，在形成上述图案的衬底基板上形成有源层的图案以及包括跨接过孔和源电极过孔的栅极绝缘层的图案包括：

在形成上述图案的衬底基板上沉积栅极绝缘层薄膜和有源层薄膜；

在所述有源层薄膜上涂覆光刻胶；

采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影操作，形成包括完全保留区域、半保留区域和完全去除区域的图案；

对所述栅极绝缘层薄膜和有源层薄膜进行第一次刻蚀，刻蚀掉所述完全去除区域对应的栅极绝缘层薄膜和有源层薄膜，形成至少包括跨接过孔和源电极过孔的栅极绝缘层的图案；

按照所述半保留区域光刻胶的厚度对所述完全保留区域和半保留区域的光刻胶进行灰化处理；

对所述有源层薄膜进行第二次刻蚀，刻蚀掉所述半保留区域对应的有源层薄膜，形成包括有源层的图案。

5.根据权利要求1或2所述的阵列基板制造方法，其特征在于，通过构图工艺，在形成上述图案的衬底基板上形成包括像素电极、源电极、漏电极和跨接线的图案包括：

在形成上述图案的衬底基板上沉积像素电极薄膜；

在所述像素电极薄膜上涂覆光刻胶；

采用普通掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影操作，形成包括完全保留区域和完全去除区域的图案；

对所述像素电极薄膜进行刻蚀，刻蚀掉所述完全去除区域对应的像素电极薄膜，形成包括所述像素电极、源电极、漏电极和跨接线的图案。

6.根据权利要求1或2所述的阵列基板制造方法，其特征在于，通过构图工艺，在形成上述图案的衬底基板上形成有源层的图案包括：

在形成上述图案的衬底基板上沉积半导体层薄膜和掺杂半导体层薄膜作为有源层薄膜，对所述有源层薄膜进行构图工艺形成包括所述有源层的图案。

7.根据权利要求6所述的阵列基板制造方法，其特征在于，通过构图工艺，在形成上述图案的衬底基板上形成包括像素电极、源电极、漏电极和跨接线的图案之后，还包括：

对形成上述图案的衬底基板进行选择性干法刻蚀，刻蚀掉所述源电极和漏电极之间的掺杂半导体薄膜，形成TFT沟道。

8.根据权利要求1或2所述的阵列基板制造方法，其特征在于，通过构图工艺，在形成上述图案的衬底基板上形成有源层的图案包括：

在形成上述图案的衬底基板上沉积氧化物半导体薄膜作为有源层薄膜，对所述有源层薄膜进行构图工艺形成包括所述有源层的图案。