[发明专利]阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器技术，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display；以下简称：LCD)由于具有重量轻、厚度薄、无辐射的优点，近年来液晶显示技术得到了迅速的发展，特别是薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下简称：TFT)LCD是现有LCD的主流产品，从原来的七次光刻技术发展到现在普遍应用的四次光刻技术。

TFT-LCD的液晶面板通常包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，其间填充液晶。其中，阵列基板的制作最为复杂。一般来说，阵列基板的制作是通过一组薄膜沉积和光刻工艺形成图案来完成的，一次光刻形成一层图案。所谓一次光刻即利用一次掩膜板所进行的构图工艺。要形成一层图案，首先是先在衬底基板上沉积一层或多层薄膜，然后在薄膜表面上涂一层光敏感材料，通过掩膜板进行曝光、显影、刻蚀和剥离，形成一层具备所需图案的光敏感材料，最后进行刻蚀，把光敏感材料图案转移形成薄膜的图案。每一层图案都是在一定的精确位置准确地罩在另一层图案上，每一层图案都是由不同或相同的材料组成，其厚度一般从几百纳米到几个微米。现在采用的四次光刻技术就是利用灰色调掩膜板(Gray Tone Mask)技术，通过一次光刻完成有源层和源漏金属电极图案的制作。一般来说，在制作过程中所用掩膜板的数量越少，生产效率越高，成本就越低。因此，减少光刻次数是本领域的发展趋势。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及其制造方法，以减少阵列基板制作工序的光刻次数，提高生产效率，降低生产成本。

为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板制造方法，包括：

通过构图工艺，在衬底基板上形成包括横纵交叉的数据线和栅扫描线以及栅电极的图案，且所述数据线为断续设置从而与所述栅扫描线相互间隔，或所述栅扫描线为断续设置从而与所述数据线相互间隔；

通过构图工艺，在形成上述图案的衬底基板上形成有源层的图案以及包括跨接过孔和源电极过孔的栅极绝缘层的图案，所述跨接过孔的位置对应断续且相邻的所述数据线或栅扫描线的位置，所述源电极过孔的位置对应所述数据线的位置；

通过构图工艺，在形成上述图案的衬底基板上形成包括像素电极、源电极、漏电极和跨接线的图案，所述像素电极与所述漏电极的图案一体成型，所述源电极通过所述源电极过孔与所述数据线相连，所述跨接线通过所述跨接过孔连接断续且相邻的所述数据线或栅扫描线。

为实现上述目的，本发明还提供了一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅扫描线，围设形成像素单元，所述像素单元中设置有TFT开关和像素电极，所述TFT开关包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，其中：

所述数据线和所述栅扫描线采用相同材料同层形成，且所述数据线为断续设置从而与所述栅扫描线相互间隔，或所述栅扫描线为断续设置从而与所述数据线相互间隔；

覆盖在所述数据线、栅扫描线和栅电极上的栅极绝缘层形成有跨接过孔和源电极过孔，所述跨接过孔的位置对应断续且相邻的所述数据线或栅扫描线的位置，所述源电极过孔的位置对应所述数据线的位置；

所述源电极、漏电极和像素电极采用相同材料同层形成，还同时形成有跨接线，所述漏电极与所述像素电极一体成型，所述源电极通过所述源电极过孔与所述数据线相连，所述跨接线通过所述跨接过孔连接断续且相邻的所述数据线或栅扫描线。

由以上技术方案可知，本发明采用将数据线和栅扫描线同层形成的技术手段，能够实现以三次光刻工艺制备阵列基板，提高了生产效率，降低了生产成本。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的阵列基板制造方法的流程图；

图2为本发明实施例二提供的阵列基板制造方法的流程图；

图3为本发明实施例二制备的阵列基板在第一次光刻工艺后的局部俯视结构示意图；

图4为图3中的A-A向剖切截面侧视图；

图5为本发明实施例二制备的阵列基板在第二次光刻工艺后的局部俯视结构示意图；

图6为图5中的B-B向剖切截面侧视图；

图7为本发明实施例二制备的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图8为图7中的C-C向剖切截面侧视图；

图9为本发明实施例三提供的阵列基板制造方法的流程图；

图10为本发明实施例三制备的阵列基板在第一次光刻工艺后的局部俯视结构示意图；

图11为图10中D-D向的剖切截面侧视图；