[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括定义了以矩阵方式排列的数个像素区域的栅线和数据线，每个像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述数据线包括位于第一像素列的第一数据线和位于与第一像素列相邻的第二像素列的第二数据线，所述第一数据线和第二数据线分别位于栅绝缘层的两侧。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一数据线与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极同层设置，所述第二数据线与所述栅线同层设置，所述第二数据线通过第一连接条与薄膜晶体管的源电极连接，间断设置在相邻的两个栅线之间的第二数据线通过第二连接条相互连接。

3.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一连接条和第二连接条与像素电极同层设置。

4.根据权利要求1～3中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，还包括与栅线同层设置的公共电极线，间断设置在相邻的两个第二数据线之间的公共电极线通过第三连接条相互连接。

5.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，还包括与第二数据线同层设置的第一遮挡条和与第一数据线同层设置的第二遮挡条，所述第一遮挡条与公共电极线直接连接，所述第二遮挡条与公共电极线通过第三连接条相互连接。

6.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，还包括与第二数据线同层设置的第一遮挡条和第二遮挡条，所述第一遮挡条和第二遮挡条分别与公共电极线直接连接，所述第二遮挡条通过第三连接条相互连接。

7.根据权利要求5或6所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第三连接条与像素电极同层设置。

8.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上通过构图工艺形成包括栅电极、栅线和第二数据线的图形，所述第二数据线位于第二像素列，并间断设置在相邻的两个栅线之间；

步骤2、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括第一数据线、第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极的图形，所述第一数据线位于与第二像素列相邻的第一像素列，所述第一源电极和第一漏电极位于所述第一像素列的像素区域内，所述第二源电极和第二漏电极位于所述第二像素列的像素区域内；

步骤3、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括第一过孔、第二过孔和第三过孔的图形，所述第一过孔位于第一漏电极和第二漏电极的上方，所述第二过孔位于第二源电极的上方，所述第三过孔分别位于第二数据线的端部；

步骤4、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括像素电极、第一连接条和第二连接条的图形，位于第一像素列像素区域内的像素电极通过第一过孔与第一漏电极连接，位于第二像素列像素区域内的像素电极通过第一过孔与第二漏电极连接；所述第一连接条通过第二过孔和第三过孔使第二源电极和第二数据线连接，所述第二连接条通过第三过孔使位于栅线两侧的第二数据线相互连接。

9.根据权利要求8所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤1中还同时形成有公共电极线，所述公共电极线间断设置在相邻的两个第二数据线之间；所述步骤3中还同时形成有第四过孔图形，所述第四过孔分别位于所述公共电极线的端部；所述步骤4中还同时形成有第三连接条，所述第三连接条通过第四过孔使位于第二数据线两侧的公共电极线相互连接。

10.根据权利要求9所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤1中还同时形成有第一遮挡条，位于公共电极线中部的第一遮挡条与公共电极线连接；所述步骤2中还同时形成有第二遮挡条，所述第二遮挡条位于相邻的公共电极线之间；所述步骤3中还同时形成有第五过孔图形，所述第五过孔分别位于所述第二遮挡条的端部；所述步骤4中形成的第三连接条通过第四过孔和第五过孔使公共电极线和第二遮挡条连接。

11.根据权利要求9所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤1中还同时形成有第一遮挡条和第二遮挡条，位于公共电极线中部的第一遮挡条和位于公共电极线端部的第二遮挡条分别与公共电极线连接；所述步骤3中还同时形成有第六过孔图形，所述第六过孔分别位于所述第二遮挡条的端部；所述步骤4中形成的第三连接条通过第六过孔使位于第二数据线两侧的第二遮挡条相互连接。