[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。

背景技术

近年来，由于薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有重量轻、体积小、功耗低、无辐射、显示分辨率高等优点，已经在市场中占有主导地位。

TFT-LCD的主体结构包括对盒的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上形成有栅线、数据线以及以矩阵方式排列的薄膜晶体管和像素电极，彩膜基板上形成有黑矩阵、彩色树脂和公共电极，通过控制阵列基板的像素电极与彩膜基板的公共电极之间的电压差使液晶分子偏转，液晶分子偏转的角度不同使透过的光线不同，从而产生不同的灰度，实现所需画面的显示。

随着生活水平的不断提高和生产力水平的日益改进，市场对高清晰、高分辨率产品的追求也越来越迫切。但由于分辨率的提高使得相邻数据线之间的距离缩小，因此数据线串扰和数据线短路是生产高分辨率TFT-LCD必须解决的技术难题。数据线串扰是指两条数据线之间的耦合，两条数据线之间的互感和互容会引起数据线出现噪声，研究表明，两条数据线上电流强度相同时，两条数据线间的距离越近，彼此之间的串扰效应越明显。数据线短路是指两条数据线之间彼此相连，使像素电极无法接收到正常信号而产生不良。研究表明，在相同工艺条件下，两条数据线间的距离越近，彼此之间发生短路的几率越大。

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，可大幅度消除数据线之间串扰和短路现象。

为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括定义了以矩阵方式排列的数个像素区域的栅线和数据线，每个像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，所述数据线包括位于第一像素列的第一数据线和位于与第一像素列相邻的第二像素列的第二数据线，所述第一数据线和第二数据线分别位于栅绝缘层的两侧。

所述第一数据线与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极同层设置，所述第二数据线与所述栅线同层设置，所述第二数据线通过第一连接条与薄膜晶体管的源电极连接，间断设置在相邻的两个栅线之间的第二数据线通过第二连接条相互连接。进一步地，所述第一连接条和第二连接条与像素电极同层设置。

在上述技术方案基础上，还包括与栅线同层设置的公共电极线，间断设置在相邻的两个第二数据线之间的公共电极线通过第三连接条相互连接。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括：

步骤1、在基板上通过构图工艺形成包括栅电极、栅线和第二数据线的图形，所述第二数据线位于第二像素列，并间断设置在相邻的两个栅线之间；

步骤2、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括第一数据线、第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极的图形，所述第一数据线位于与第二像素列相邻的第一像素列，所述第一源电极和第一漏电极位于所述第一像素列的像素区域内，所述第二源电极和第二漏电极位于所述第二像素列的像素区域内；

步骤3、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括第一过孔、第二过孔和第三过孔的图形，所述第一过孔位于第一漏电极和第二漏电极的上方，所述第二过孔位于第二源电极的上方，所述第三过孔分别位于第二数据线的端部；

步骤4、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括像素电极、第一连接条和第二连接条的图形，位于第一像素列像素区域内的像素电极通过第一过孔与第一漏电极连接，位于第二像素列像素区域内的像素电极通过第一过孔与第二漏电极连接；所述第一连接条通过第二过孔和第三过孔使第二源电极和第二数据线连接，所述第二连接条通过第三过孔使位于栅线两侧的第二数据线相互连接。

所述步骤1中还同时形成有公共电极线，所述公共电极线间断设置在相邻的两个第二数据线之间；所述步骤3中还同时形成有第四过孔图形，所述第四过孔分别位于所述公共电极线的端部；所述步骤4中还同时形成有第三连接条，所述第三连接条通过第四过孔使位于第二数据线两侧的公共电极线相互连接。

所述步骤1中还同时形成有第一遮挡条，位于公共电极线中部的第一遮挡条与公共电极线连接；所述步骤2中还同时形成有第二遮挡条，所述第二遮挡条位于相邻的公共电极线之间；所述步骤3中还同时形成有第五过孔图形，所述第五过孔分别位于所述第二遮挡条的端部；所述步骤4中形成的第三连接条通过第四过孔和第五过孔使公共电极线和第二遮挡条连接。