[发明专利]旋涡式非接触硅片夹持装置无效
申请号: | 200910097141.9 | 申请日: | 2009-03-23 |
公开(公告)号: | CN101510521A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 阮晓东;郭丽媛;傅新;邹俊 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 林怀禹 |
地址: | 310027浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 旋涡 接触 硅片 夹持 装置 | ||
1.一种旋涡式非接触硅片夹持装置,其特征在于:包括吸盘主体(1)和稳流网(2);其中:
1)吸盘主体(1)上半部分吸盘壁(1A)外部为长方体,内部为圆柱腔体,圆柱腔体顶部同一圆周上开有两个均布的进气口(1B),进气口(1B)与圆柱腔体相切;吸盘主体(1)下半部分为帽檐结构(1C),帽檐结构(1C)孔内侧开有一个对准槽(1D)及固定环道(1F),固定环道(1F)的同一圆周上开有多个均布的分流孔(1E);
2)稳流网(2)为扁圆柱结构,底面开有网状稳流孔;周围设有环形壁面(2A),环形壁面(2A)同一圆周上开有多个均布的分流孔(2B)及一个对准块(2C);
吸盘主体(1)与稳流网(2)之间通过一个对准槽(1D)和一个对准块(2C)配合对准,固定环道(1F)与稳流网(2)的环形壁面(2A)之间为粘接固定,吸盘主体(1)的帽檐结构(1C)的底面和稳流网(2)的底面齐平。
2.根据权利要求1所述的一种旋涡式非接触硅片夹持装置,其特征在于:所述的固定环道(1F)上的分流孔(1E)和环形壁面(2A)上的分流孔(2B)孔径和孔数相等,孔数为2~6个。
3.根据权利要求1所述的一种旋涡式非接触硅片夹持装置,其特征在于:所述的网状稳流孔为圆形孔(2D),直径在0.5~2mm之间。
4.根据权利要求1所述的一种旋涡式非接触硅片夹持装置,其特征在于:所述的网状稳流孔为方形孔(2D′),长度在0.5~2mm之间。
5.根据权利要求1所述的一种旋涡式非接触硅片夹持装置,其特征在于:所述的网状稳流孔的孔隙率为50%~90%,其厚度为0.1~1mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造